Infineon BF998E6327

Обзор продукта BF998E6327

Описание
BF998E6327 — малосигнальный N-канальный MOSFET Infineon для высокочастотных применений. Рассеиваемая мощность составляет около 200 mW, напряжение сток–исток Vdss = 12 V, непрерывный ток стока Id = 30 mA. Корпус SOT-143 компактен и подходит для ВЧ-трактов и аналоговых схем с ограниченным пространством. Низкие входная и межэлектродные емкости полезны для высокочастотной коммутации, ВЧ-буферов и усиления слабых сигналов.

Основные параметры
Тип: малосигнальный N-канальный MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss: 12 V
Непрерывный ток стока Id: 30 mA
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V (типовое/приблизительное)
Входная емкость Ciss: 2.5 pF
Емкость обратной передачи Crss: 0.025 pF
Выходная емкость Coss: 1.1 pF
Максимальная рассеиваемая мощность: 200 mW
Корпус: SOT-143
Производитель: Infineon

Особенности
Низкие значения Ciss и Coss и малая Crss (0.025 pF) снижают эффект Миллера и помогают сохранять стабильность и полосу пропускания при высокочастотной коммутации и в ВЧ-трактах.
Непрерывный ток 30 mA и рассеиваемая мощность 200 mW подходят для маломощных сигнальных цепей и коммутации.
Компактный корпус SOT-143 подходит для мобильных устройств, беспроводных модулей и PCB с ограниченным пространством.
При Vgs(th) около 2.5 V учитывайте степень открывания при логическом уровне 3.3 V или ниже.

Типовое применение
ВЧ-переключатели и маломощные буферные усилители ВЧ-трактов
Малосигнальные ключи и коммутирующие матрицы
Входные или буферные каскады малошумящих усилителей (LNA) с соответствующими цепями смещения и согласования
Аналоговые ключи и входные каскады смесителей
Маломощные схемы управления и питания портативных устройств с батарейным питанием

Корпус и теплоотвод
Корпус SOT-143 имеет ограниченные возможности теплоотвода. Рассеиваемая мощность 200 mW предъявляет требования к отводу тепла от подложки при заданной температуре окружающей среды. Для теплоотвода предусмотрите площадь меди на PCB, избегайте длительной работы при высокой температуре среды вблизи предельной мощности и проверьте нагрев расчетом или измерением.

Рекомендации по выбору и применению
С учетом Vgs(th) ≈ 2.5 V при напряжении затвора 3.3 V или ниже проверьте фактическое сопротивление открытого канала и соответствие требуемому току. Для применений с низким Rds(on) уточните параметры в спецификации или выберите модель с более низким пороговым напряжением.
Низкая Crss подходит для высокочастотных сигнальных трактов; используйте подходящее согласование импеданса и разводку, чтобы снизить влияние паразитных индуктивностей и емкостей.
При выборе замены сравните Vdss, Id, Ciss/Crss, рассеиваемую мощность и корпус, проверив характеристики в нужном частотном диапазоне и при заданном смещении.

Надежность
Малосигнальные MOSFET чувствительны к ESD; соблюдайте меры защиты от статического электричества при производстве и монтаже.
При номинальном Id 30 mA рекомендуется предусмотреть ограничение тока или защитную схему от кратковременной перегрузки.
Длительная работа при высокой температуре или вблизи максимальной рассеиваемой мощности может вызвать дрейф параметров. Предусмотрите запас по режимам и испытания на старение.

BF998E6327 с низкой емкостью и компактным корпусом подходит для маломощных ВЧ- и малосигнальных ключевых схем. Для стабильной работы важны правильное смещение, разводка PCB и теплоотвод.