Infineon IPD60R180P7

IPD60R180P7 — N-канальный силовой MOSFET Infineon в корпусе TO-252-3 (DPAK). Напряжение сток–исток около 650V, непрерывный ток стока 11A, типовое сопротивление RDS(on) = 180mΩ при VGS = 10V, рассеиваемая мощность 72W, пороговое напряжение затвора около 3.5V, полный заряд затвора Qg ≈ 25nC при VGS = 10V, входная ёмкость Ciss ≈ 1.081nF, ёмкость обратной передачи Crss ≈ 381pF. Диапазон рабочих температур: -55℃…+150℃.

Корпус предназначен для поверхностного монтажа и автоматизированной сборки. Для отвода тепла рекомендуется использовать на печатной плате широкие медные участки, тепловые переходные отверстия или теплоотводящую подложку.

При VGS = 10V указано значение RDS(on); пороговое напряжение 3.5V само по себе не гарантирует эффективную работу при логическом уровне управления. Сопротивление затвора позволяет регулировать скорость переключения и электромагнитные помехи (EMI). В схемах с высоким dv/dt или значительной энергией могут применяться RC-снаббер, ограничитель напряжения и защита драйвера затвора.

Типичные применения: высоковольтные импульсные источники питания (SMPS), коррекция коэффициента мощности (PFC), промышленные источники питания, высоковольтные драйверы и инверторы малой и средней мощности.