Infineon IPD60R800CEAUMA1

Infineon IPD60R800CEAUMA1 — высоковольтный MOSFET

Основные характеристики
Производитель: Infineon Technologies
Тип: высоковольтный MOSFET с N-каналом и индуцируемым каналом
Модель: IPD60R800CEAUMA1
Статус: серийное производство
Серия: CoolMOS™ C6

Электрические параметры
Напряжение пробоя сток–исток (Vds): 600V.
Непрерывный ток стока (Id): 1.7A при 25℃ и 1.1A при 100℃.
Максимальное сопротивление сток–исток во включенном состоянии (Rds(on)): 800mΩ при Vgs=10V.
Типовой полный заряд затвора (Qg): 15nC; типовой заряд затвора–стока (Qgd): 3.5nC.
Типовое пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)): 2.7V.
Диапазон рабочих температур перехода: от -55℃ до 150℃.

Корпус и конструкция
Корпус TO-252-3 (DPAK), для поверхностного монтажа, 3 вывода: сток D, исток S и затвор G.
Размеры корпуса: примерно 6.5mm×5.0mm×1.6mm; шаг выводов: 0.127mm.
Для отвода тепла рекомендуется площадь медного слоя не менее 10cm².
Соответствует RoHS, не содержит свинца и галогенов.

Области применения
Импульсные источники питания мощностью 10-50W, включая драйверы LED, адаптеры ноутбуков и блоки питания приставок.
Дежурные источники питания и маломощные приводы бытовой техники.
Маломощные источники питания PLC и модули питания датчиков.
Драйверы постоянного тока для сетевых светильников LED.
Защитные ключи высоковольтной стороны аккумуляторных батарей на 100-400V.

Особенности применения
Рекомендуется удерживать Vgs в пределах 10V; максимальное значение составляет ±20V.
Теплоотвод следует рассчитывать с учетом потерь и температуры перехода, не превышающей 150℃.
Для защиты затвора от статического электричества при производстве и пайке следует применять меры ESD-защиты.
Для защиты от перегрузки по току рекомендуется использовать предохранитель, токоограничивающий резистор или защитную микросхему.
Пиковая температура пайки оплавлением: не выше 260℃; время оплавления: не более 40 секунд.