Infineon IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1 — силовой MOSFET с N-каналом производства Infineon, корпус TO-252 (DPAK). Подходит для источников питания средней и высокой мощности, преобразователей и управления двигателями.

Основные параметры
Тип: MOSFET с N-каналом
Vdss: 100 V
Id: 43 A
RDS(on): 18 mΩ @ VGS = 10 V
Pd: 71 W
VGS(th): 3.5 V
Qg: 25 nC @ 10 V
Ciss: 1.8 nF
Crss: 11 pF
Coss: 315 pF
Рабочая температура: -55 ℃ ~ +175 ℃
Корпус: TO-252 (DPAK)

Низкое сопротивление открытого канала снижает потери проводимости. Заряд затвора и входная ёмкость позволяют применять драйверы средней мощности. Корпус для поверхностного монтажа подходит для компактной компоновки печатной платы и отвода тепла.

Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10 V. При VGS(th)=3.5V логических уровней 3.3V или 5V может быть недостаточно для полного открытия канала. При необходимости оцените потери проводимости и используйте драйвер затвора.

Оценка энергии затвора при Ciss=1.8nF и Vg=10V: около 125 nJ на цикл заряда-разряда. Среднюю мощность затвора можно оценить с учётом частоты переключения. Пиковый ток затвора приблизительно определяется отношением Vdrive / Rg; при Rg = 5 Ω и 10V он составляет около 2A.

Coss=315pF и Crss=11pF влияют на переходные токи и передачу энергии при переключении. Учитывайте ток Icoss = Coss · dV/dt и влияние ёмкости Миллера Crss на связь затвора с истоком. Для подавления выбросов и звонков могут применяться демпфирующий резистор затвора и цепи RC, RCD или TVS.

Pd=71W указан для идеальных условий отвода тепла. Допустимый длительный ток зависит от теплоотвода печатной платы, температуры окружающей среды и теплового сопротивления корпуса. Для снижения температуры перехода используйте широкие медные площадки, тепловую площадку и переходные отверстия.

Типовые применения: DC–DC-преобразователи средней мощности, драйверы двигателей и H-мосты, синхронные выпрямители, инверторы, UPS и коммутаторы нагрузки.

Рекомендуется использовать подходящий драйвер затвора, короткую трассу затвора и резистор затвора 5–22Ω для контроля dv/dt и подавления звона. При высоком dV/dt применяйте снаббер RC или RCD. Для высокой средней мощности оцените температуру перехода и теплоотвод платы. При параллельном включении учитывайте согласование RDS(on), распределение тока и тепловую связь.