Infineon IRFS4229TRLPBF

IRFS4229TRLPBF — силовой MOSFET с N-каналом и напряжением сток–исток 250 V. Предназначен для коммутации при высоком напряжении и значительном токе. Выполнен в корпусе D2PAK. Диапазон рабочей температуры: -40℃~+175℃.

Основные параметры
Напряжение сток–исток Vdss: 250 V
Постоянный ток стока Id: 45 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 42 mΩ при Vgs=10 V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 3 V (тип.)
Полный заряд затвора Qg: 110 nC при Vgs=10 V
Входная емкость Ciss: 4.56 nF; емкость обратной передачи Crss: 100 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 330 W (зависит от условий теплоотвода)
Корпус: D2PAK, подходит для монтажа на теплоотводящую плату

Характеристики
Номинальное напряжение 250 V подходит для импульсных источников питания среднего и высокого напряжения, инверторов и цепей PFC.
Сопротивление открытого канала 42 mΩ при напряжении затвора 10 V обеспечивает низкие потери проводимости при непрерывном токе средней и высокой величины.
Диапазон температур -40℃~+175℃ рассчитан на работу при повышенной температуре в автомобильных и промышленных условиях.
Полный заряд затвора 110 nC предъявляет повышенные требования к драйверу при высокочастотном переключении и может способствовать снижению электромагнитных помех, вызванных dv/dt.

Управление и переключение
Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10–12 V. При Vgs(th)≈3 V транзистор не относится к MOSFET с логическим уровнем управления; при напряжении управления 5 V характеристики открытого канала заметно ухудшаются.
При Qg=110 nC драйверу требуется обеспечивать значительный импульсный ток для быстрого переключения. Недостаточный ток увеличивает время переключения, потери энергии и тепловую нагрузку. Для высокочастотных применений рекомендуется специализированная микросхема драйвера и подбор резистора затвора с учетом скорости переключения и электромагнитных помех.
Crss=100 pF (емкость Миллера) влияет на переходные процессы напряжения и тока. Следует учитывать риск ложного срабатывания и выбросов напряжения при высоком dv/dt; при необходимости применяют RC-демпфирование или схемы поглощения энергии, включая TVS и RC-клампер.

Тепловой режим и корпус
Корпус D2PAK обеспечивает удобный монтаж на PCB и путь отвода тепла. Значение Pd=330 W указано для расчетных условий; фактическая рассеиваемая мощность существенно зависит от площади медных слоев PCB, подключения радиатора и температуры окружающей среды.
Для снижения теплового сопротивления переход–окружающая среда рекомендуется использовать большую площадь меди на верхнем и нижнем слоях, тепловые переходные отверстия и внешний радиатор. При непрерывной работе с высоким током следует провести тепловое моделирование и предусмотреть запас.

Типичные применения
Импульсные источники питания (SMPS), активные цепи PFC
Инверторы малой и средней мощности и приводы двигателей (промышленные, сервоприводы)
Источники бесперебойного питания (UPS) и модули переключения питания
Промышленное освещение и управление высоковольтным питанием

Рекомендации по проектированию и монтажу
Используйте короткий контур затвора с низким импедансом и располагайте микросхему драйвера рядом с транзистором. Небольшой конденсатор между затвором и истоком помогает подавлять высокочастотный звон.
При работе с индуктивной нагрузкой применяйте диод свободного хода или подходящую цепь подавления выбросов, чтобы защитить транзистор от импульсов высокой энергии.
Предусмотрите на PCB большую площадь теплоотводящей меди и несколько переходных отверстий для передачи тепла на поверхность теплоотвода или радиатор.

Надежность и условия эксплуатации
При высокой температуре и нагрузке следует учитывать снижение допустимых параметров и применять соответствующее снижение номиналов. Для длительной работы рекомендуется проверить надежность при термоциклировании и вибрации.
Соблюдайте защиту от статического электричества и импульсных перенапряжений при хранении и монтаже, чтобы предотвратить повреждение затвора.