Infineon IRFS7730TRLPBF

IRFS7730TRLPBF — силовой N-канальный MOSFET компании Infineon в корпусе D2PAK (TO-263AB), предназначенный для высокотоковых силовых ключей и систем управления питанием.

Основные характеристики
Модель: IRFS7730TRLPBF
Производитель: Infineon
Тип: силовой N-канальный MOSFET
Корпус: TO-263AB (D2PAK)
Количество: 1 шт.
Напряжение сток–исток Vdss: 75 V
Непрерывный ток стока Id: 246 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 2.2 mΩ @ Vgs=10 V, Id=100 A
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 375 W
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.1 V (тип.)
Полный заряд затвора Qg: 407 nC (тип.)
Входная ёмкость Ciss: 13.66 nF
Ёмкость обратной передачи Crss: 690 pF
Диапазон рабочей температуры перехода: -55 ℃ ~ +175 ℃

Низкое RDS(on) снижает потери проводимости при управлении напряжением 10 V. Заряд затвора Qg=407 nC требует драйвера с достаточной токовой нагрузочной способностью; типичное напряжение управления составляет 10–12 V. При меньшем напряжении управления RDS(on) возрастает. Большие Qg, Ciss=13.66 nF и Crss=690 pF увеличивают потери переключения на высокой частоте; ёмкость Crss также влияет на эффект Миллера.

При проектировании теплового режима учитывайте, что фактическая рассеиваемая мощность зависит от охлаждения корпуса D2PAK, площади меди печатной платы и радиатора. Непрерывный ток зависит от теплового сопротивления и температуры окружающей среды.

Типовые применения: автомобильная электроника и источники питания с шиной 48V, преобразователи DC-DC, серверные и телекоммуникационные источники питания, синхронное выпрямление, управление двигателями, импульсные источники питания, UPS и промышленные модули питания.

Для отвода тепла используйте большую площадь меди под корпусом и в области тепловых выводов, а также переходные отверстия для передачи тепла на внутренние слои или радиатор. Размещайте силовую цепь компактно, чтобы уменьшить площадь токового контура, паразитную индуктивность, звон и EMI. Делайте соединение затвора коротким; типичное значение демпфирующего резистора — 2–10 Ω. Размещайте развязывающий конденсатор большого тока близко к выводам питания MOSFET.

Для получения низкого RDS(on) требуется управление напряжением 10 V. В индуктивных нагрузках и при риске перенапряжения применяйте TVS, RC-демпфер или демпфирующую цепь. При высоких нагрузках проверяйте SOA и тепловой режим.

IRFS7730TRLPBF сочетает низкое сопротивление открытого канала и высокий номинальный ток для приложений с напряжением до 75V. Большой заряд затвора и паразитные ёмкости требуют соответствующего драйвера и эффективного отвода тепла.