Infineon IPN60R2K1CEATMA1

IPN60R2K1CEATMA1 — N-канальный суперпереходный MOSFET компании Infineon, рассчитанный на напряжение сток–исток 600V. Предназначен для высоковольтных коммутационных применений, включая импульсные источники питания, адаптеры питания, драйверы LED, ключи первичной стороны и PFC-цепи малой и средней мощности. Корпус для поверхностного монтажа SOT-223-3 (PG-SOT223).

Непрерывный ток стока — 3.7A при заданной температуре корпуса Tc; максимальное сопротивление открытого канала — 2.1Ω (типовое измерение при 800mA и VGS=10V). VDS = 600V; максимальное VGS = ±20V; максимальное пороговое напряжение VGS(th) — 3.5V при токе измерения 60µA; максимальный заряд затвора Qg — 6.7nC при VGS=10V; максимальная входная ёмкость Ciss — 140pF при VDS=100V. Максимальная рассеиваемая мощность Pd — 5W при Tc. Диапазон рабочей температуры перехода TJ = -40°C…150°C.

Для достижения минимального RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10V. Достаточный мгновенный ток драйвера обеспечивает быстрое переключение; последовательный резистор RG помогает уменьшить звон и EMI. Соблюдайте предел VGS ±20V. При высоковольтном быстром переключении учитывайте энергию и коммутационные нагрузки; для защиты при необходимости применяйте демпфирующую или ограничительную цепь.

Корпус SOT-223-3 имеет ограниченные возможности отвода тепла. Предусмотрите на PCB достаточную площадь медных участков и увеличьте площадь контактной площадки для снижения температуры перехода. При длительной работе с высокой мощностью проверьте температуру TJ в условиях конкретного применения.