WMSIC Электронные компоненты

Infineon IPB017N10N5

МодельIPB017N10N5
КорпусTO-263-7
БрендInfineon
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
Infineon IPB017N10N5
Тип
INFINEON
Минимальная упаковка
1000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
INFINEON
Модель
IPB017N10N5
Шаг
1
Корпус
TO-263-7
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
1.71g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0228561169
Рабочая температура
55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
375W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
1000
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V
Входная емкость (Ciss)
15.6nF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

IPB017N10N5 — силовой N-канальный MOSFET компании Infineon, предназначенный для преобразования энергии среднего и высокого напряжения и управления электродвигателями. Низкое сопротивление открытого канала и высокая допустимая мощность делают его подходящим для силовых электронных систем с высокими требованиями к КПД и плотности мощности.

Основные параметры
Тип: силовой N-канальный MOSFET (количество: 1)
Максимальное напряжение сток–исток Vdss: 100 V
Сопротивление открытого канала RDS(on): 1.7 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 100 A
Пороговое напряжение VGS(th): 3.8 V
Полный заряд затвора Qg: 168 nC @ VGS = 10 V
Непрерывный ток стока ID: 180 A
Максимальная рассеиваемая мощность PD: 375 W
Входная емкость Ciss: 15.6 nF @ 50 V
Емкость обратной передачи Crss: 140 pF @ 50 V
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +175 ℃
Корпус: TO-263-7 (вариант D2PAK)

Особенности
Низкое сопротивление открытого канала 1.7 mΩ снижает потери проводимости при высоких токах. Допустимый ток 180 A и рассеиваемая мощность 375 W подходят для конструкций с высокой плотностью мощности. Широкий диапазон рабочих температур рассчитан на сложные промышленные условия. Корпус TO-263-7 обеспечивает монтаж на плату и отвод тепла.

Особенности управления и переключения
Пороговое напряжение 3.8 V характеризует начало открытия. Для достижения указанного RDS(on) требуется управление при VGS = 10 V; рекомендуемое напряжение управления затвором составляет 10–12 V. При Qg = 168 nC драйверу требуется обеспечить соответствующий импульсный ток для быстрого переключения. Пример расчета потерь на управление затвором: Pgate ≈ Qg × Vdrive × fSW. При Vdrive = 10 V и fSW = 100 kHz: Pgate ≈ 168e-9 × 10 × 100e3 ≈ 0.168 W. Это потери заряда и разряда затвора; также учитываются пиковый ток драйвера и его КПД.

Значения Ciss (15.6 nF) и Crss (140 pF) связаны с заметным обменом энергией и эффектом Миллера во время переключения. Для контроля dv/dt и звона следует подобрать сопротивление затвора и пиковый ток драйвера с учетом баланса потерь переключения и EMI.

Тепловой расчет и параллельное включение
Фактическая допустимая рассеиваемая мощность зависит от корпуса, площади медных проводников PCB, радиатора и температуры окружающей среды. При расчете нагрева и проектировании охлаждения следует учитывать конкретные значения RthJA / RthJC и тепловые характеристики производителя.

При параллельном включении следует учитывать распределение тока: различия RDS и температурных коэффициентов могут привести к неравномерному току. Рекомендуется применять небольшое сопротивление в цепи истока или другие средства выравнивания тока и оптимизировать тепловой баланс при разводке PCB.

Типовые применения
Синхронное выпрямление и главные или синхронные ключи эффективных понижающих преобразователей (Buck).
Инверторы средней и высокой мощности и приводы электродвигателей, включая ветроэнергетику, инверторы для солнечных и аккумуляторных систем, промышленные сервоприводы и подсистемы электромобилей.
Высокотоковые ключевые узлы в источниках бесперебойного питания (UPS), серверных источниках питания и испытательных стендах силовой электроники.
Полумостовые и мостовые силовые каскады.

Практические рекомендации
Для быстрого переключения рекомендуется специализированный драйвер затвора с импульсным током в несколько ампер (пиковое значение 5–10 A или выше), с учетом допустимых потерь переключения.
В зависимости от требований к EMI и контролю dv/dt следует выбрать последовательный резистор затвора 2–10 Ω; для подавления звона в цепи управления можно использовать демпфирование или RC-снаббер.
Следует предусмотреть защиту от сверхтока и перегрева, а также мягкое выключение. В приложениях с обратным потоком энергии учитываются характеристики восстановления встроенного диода и способность поглощать энергию; при необходимости применяют буферную цепь или RC-снаббер.
При пайке и хранении следует соблюдать профиль пайки корпуса и требования ESD, чтобы избежать термомеханических нагрузок и повреждения статическим электричеством.

IPB017N10N5 — MOSFET для силовой электроники с сопротивлением открытого канала 1.7 mΩ и классом напряжения 100 V. При проектировании следует учитывать возможности управления затвором, теплоотвод и потери переключения с учетом частоты переключения, условий охлаждения и защиты системы.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.