Infineon BFP640ESDH6327

BFP640ESDH6327 — малошумящий высокочастотный NPN-транзистор на SiGe, выпускаемый компанией Infineon и предназначенный для радиочастотных входных каскадов и малошумящих усилителей (LNA). Корпус для поверхностного монтажа SOT343. Количество: 1 NPN-транзистор.

Основные параметры
Тип транзистора: NPN (SiGe)
Максимальный ток коллектора (Ic): 50 mA
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vceo): 4.1 V
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 mW (ограничение корпуса; учитывайте снижение номинала при тепловом расчете)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): около 110 (типовое значение)
Граничная частота (fT): 45 GHz
Обратный ток коллектора (Icbo): 500 nA
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT343

Особенности
Технология SiGe и конструкция прибора обеспечивают низкий коэффициент шума при небольшом токе смещения, что подходит для малошумящих усилителей приемного тракта. Граничная частота 45 GHz обеспечивает усиление и полосу усиления в приложениях диапазона GHz. Ток коллектора 50 mA и рассеиваемая мощность 200 mW позволяют использовать транзистор для усиления малых сигналов и приложений с требованиями к линейности. Диапазон температур от -55 ℃ до +150 ℃ рассчитан на промышленную эксплуатацию и повышенные температуры.

Типовые применения
Радиочастотные малошумящие усилители (LNA)
Усиление и буферизация радиочастотного входного каскада
Управление гетеродином смесителя или малошумящий каскад усиления
Модули беспроводной связи, передатчики и приемники, высокочастотное испытательное оборудование
Промежуточный каскад или драйвер в VCO и усилительных цепях

Рекомендации по проектированию и применению
Для компромисса между уровнем шума и линейностью типичный диапазон постоянного тока коллектора составляет 1–10 mA. Фактическое значение выбирают с учетом коэффициента шума, усиления и потребляемой мощности.

Корпус SOT343 имеет небольшие размеры, поэтому рассеиваемая мощность 200 mW ограничена при отсутствии теплоотвода. Рекомендуется предусмотреть на PCB тепловую площадку и хороший слой заземления; при необходимости следует снизить допустимую мощность.

Для работы в диапазоне GHz следует разработать входную и выходную согласующие цепи, оптимизирующие шум и усиление. Радиочастотные дорожки следует делать короткими, использовать компоненты с низкими паразитными параметрами и добавить демпфирование базы или небольшой резистор в цепи базы для повышения устойчивости и предотвращения генерации.

Высокочастотную развязку питания следует разместить рядом с выводами питания, чтобы индуктивность проводников питания не вызывала нестабильность.

Для корпуса SOT343 применяется стандартная технология оплавления припоя. Рекомендуется защита ESD для предотвращения повреждения чувствительного прибора.

BFP640ESDH6327 выполнен в компактном корпусе SOT343 для поверхностного монтажа, подходящем для интеграции в PCB высокой плотности. Рабочий температурный диапазон охватывает автомобильные и промышленные условия. Для проверки серийного производства следует обращаться к официальной документации Infineon за размерами корпуса, назначением выводов, тепловым сопротивлением и данными испытаний на надежность.