Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1 — N-канальный силовой MOSFET на основе карбида кремния (SiC) от Infineon, рассчитанный на напряжение сток–исток 1.7 kV. Корпус TO-263-7-13 подходит для высоковольтных преобразователей и защитных цепей.

Основные электрические параметры
Тип: N-канальный SiC MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss: 1.7 kV
Непрерывный ток стока Id: 5.2 A
Рассеиваемая мощность Pd: 68 W
Сопротивление открытого канала RDS(on): 809 mΩ при Vgs = 15 V
Пороговое напряжение Vgs(th): 4.5 V
Полный заряд затвора Qg: 5 nC
Входная емкость Ciss: 275 pF; емкость обратной передачи Crss: 0.7 pF
Рабочая температура: от -55 ℃ до +175 ℃

Особенности
Номинальное напряжение 1.7 kV подходит для трехфазных инверторов, тяговых систем, HVDC и высоковольтных источников питания.
Материал SiC обеспечивает высокую напряженность пробоя и низкие потери при переключении, позволяя использовать более высокую частоту переключения и компактные магнитные компоненты.
Заряд затвора Qg составляет 5 nC, Crss — 0.7 pF; эти параметры способствуют быстрому переключению и уменьшению эффекта Миллера.
Рабочая температура достигает 175 ℃.

Типичные применения
Высоковольтные выпрямители и инверторы, включая промышленные электроприводы и солнечные инверторы
Высоковольтные импульсные источники питания и изолированные преобразователи
Высоковольтные силовые ключи систем управления энергией аккумуляторов и накопителей энергии
Силовые электронные модули для ограниченного пространства и высоких рабочих температур

Рекомендации по проектированию
Для управления затвором рекомендуется напряжение, указанное производителем; сопротивление открытого канала приведено при 15 V. Следует соблюдать максимальное номинальное значение Vgs. Для контроля коммутационных нагрузок и колебаний в цепи затвора рекомендуется использовать подходящий демпфирующий резистор.

Сопротивление RDS(on) требует учета потерь проводимости. Для поддержания температуры перехода в безопасном диапазоне следует предусмотреть теплоотвод через медные полигоны, радиатор или принудительное воздушное охлаждение. Pd 68 W служит ориентиром для теплового проектирования; допустимая рассеиваемая мощность зависит от условий охлаждения.

При высоком dv/dt и перенапряжениях рекомендуется использовать RC-снаббер или RC-цепь с защитными компонентами для подавления переходных перенапряжений и звона.

Следует обеспечить короткий путь возвратного тока сток–исток с низким сопротивлением и уменьшить паразитную индуктивность проводников. В местах концентрации электрического поля следует предусмотреть изоляционные зазоры.

Корпус TO-263-7-13 предназначен для поверхностного монтажа и обеспечивает путь отвода тепла. SiC MOSFET IMBF170R1K0M1XTMA1 рассчитан на высоковольтные силовые системы, быстрое переключение и широкий диапазон рабочих температур. При проектировании следует учитывать RDS(on), тепловые характеристики и данные технической документации Infineon.