Infineon BSC265N10LSF G BSC265N10LSF

BSC265N10LSF G — N-канальный силовой MOSFET Infineon на основе технологии OptiMOS, предназначенный для преобразования энергии среднего и высокого напряжения с высокой эффективностью.

Основные параметры:
Напряжение сток–исток Vdss: 100 V
Непрерывный ток стока Id: 40 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 36 mΩ при Vgs = 4.5 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 78 W
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.4 V при ID = 43 μA
Полный заряд затвора Qg: 21 nC при 10 V
Входная емкость Ciss: 1.6 nF
Выходная емкость Coss: 370 pF
Емкость обратной передачи Crss: 8 pF
Рабочий диапазон температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: TDSON-8 (5 × 6 mm)

Низкое RDS(on) обеспечивает малые потери проводимости при высоком токе. Значение Qg = 21 nC соответствует умеренным требованиям к драйверу. Низкая Crss способствует уменьшению эффекта Миллера. Емкости Coss и Ciss влияют на потери при переключении и распределение напряжения.

Корпус TDSON-8 (5 × 6 mm) обеспечивает компактное исполнение и эффективный отвод тепла. Фактическая допустимая мощность зависит от температуры перехода, площади медных участков PCB, теплоотвода и окружающей среды. Для отвода тепла рекомендуется использовать большие медные площадки и тепловые переходные отверстия. При высокой температуре требуется снижение нагрузки.

При RDS(on), заданном для Vgs = 4.5 V, логического управления уровня 5 V достаточно для хорошей проводимости. Заряд затвора Qg = 21 nC следует учитывать при выборе драйвера и целевой частоты переключения. Резистор затвора Rg помогает подавлять колебания и контролировать dv/dt.

Рекомендации по компоновке PCB: минимизировать площадь контуров с большим током, размещать конденсаторы рядом с устройством и обеспечивать короткий обратный путь. Для тепловой площадки корпуса TDSON следует предусмотреть достаточную площадь контактной площадки и тепловые переходные отверстия. В цепи затвора могут применяться резистор и демпфирующие элементы, например RC, RC snubber или TVS.

Типичные области применения: синхронное выпрямление в понижающих DC-DC-преобразователях, SMPS, входные каскады PFC малой и средней мощности, полумостовые и мостовые каскады управления двигателями, промышленные и телекоммуникационные источники питания, модули питания для высокопроизводительных вычислительных систем.

При проектировании следует оценивать температуру перехода, учитывать импульсный ток и пиковое напряжение Vds; при необходимости применять TVS или демпфирующую цепь. Для высокочастотных схем и схем с высоким dv/dt требуется проверять EMI, выбросы напряжения и поведение обратного восстановления.

BSC265N10LSF G — N-канальный MOSFET OptiMOS с напряжением 100 V, низкими потерями проводимости и сбалансированными характеристиками переключения. Подходящие тепловой дизайн PCB, управление затвором и компоновка силовых контуров помогают эффективно использовать устройство.