Infineon IPB110P06LM

IPB110P06LM — высокопроизводительный силовой MOSFET с P-каналом от Infineon, предназначенный для силовой электроники, где важны высокая скорость переключения, низкие потери проводимости и большой ток. При номинальном напряжении 60 V сопротивление открытого канала составляет 11 mΩ при |Vgs| = 10 V. Корпус TO-263-3 (D2PAK) предназначен для поверхностного монтажа и отвода тепла.

Основные параметры
Тип: MOSFET с P-каналом
Напряжение сток–исток Vdss: 60 V
Непрерывный ток стока Id: 100 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 11 mΩ при |Vgs| = 10 V
Пороговое напряжение Vgs(th): около 2 V при измерительном токе 5.55 mA
Заряд затвора Qg: 281 nC при 10 V
Выходная ёмкость Coss: 1.2 nF
Входная ёмкость Ciss: 8.5 nF
Ёмкость обратной передачи Crss: 260 pF
Рассеиваемая мощность стока Pd: 300 W
Количество: 1 шт.
Бренд: Infineon
Корпус: TO-263-3 (D2PAK)

Особенности
Низкое сопротивление открытого канала снижает потери при больших постоянных и импульсных токах. Номинальный ток 100 A подходит для мощных преобразовательных систем. Значения Ciss 8.5 nF и Qg 281 nC указывают на значительную ёмкость затвора и необходимость мощного драйвера для быстрого переключения. Корпус TO-263-3 сочетает возможности поверхностного монтажа и отвода тепла.

Типовые применения
Высокосторонние ключи и отключение питания в автомобильных и промышленных системах
Синхронное выпрямление и высокосторонние ключи понижающих преобразователей, в том числе в системах 12V~48V
Защита от обратной полярности, переключение нагрузки и выбор силового пути
Промышленные приводы, телекоммуникационные источники питания и другие схемы с P-канальными приборами

Рекомендации по применению
Драйвер затвора: заряд Qg = 281 nC требует достаточного тока драйвера для быстрого переключения. Для фронта порядка 100 ns пиковый ток драйвера составляет примерно Qg / tr ≈ 281 nC / 100 ns ≈ 2.8 A. Для более медленных фронтов длительностью в несколько сотен ns требуемый ток ниже. Средний ток затвора зависит от частоты переключения: Ig_avg ≈ Qg × fSW; например, при 100 kHz он составляет около 28 mA. Для высокой частоты или быстрых фронтов рекомендуется специализированный драйвер либо параллельный каскад.

Напряжение и полярность затвора: P-канальный прибор открывается при отрицательном Vgs. RDS(on) указано при |Vgs| = 10 V. Пороговое напряжение около 2 V характеризует начало открытия и не задаёт сопротивление в рабочем режиме.

Потери переключения и Coss: Coss = 1.2 nF влияет на энергию переключения и электромагнитные помехи, связанные с dV/dt. Скорость переключения можно регулировать последовательным резистором или RC-цепью демпфирования.

Тепловой режим: указанная мощность Pd 300 W зависит от условий измерения и охлаждения. При больших токах следует оценивать потери I^2 × RDS(on). Например, при 50 A потери составляют примерно 50^2 × 0.011 ≈ 27.5 W. Предусмотрите достаточную площадь медных проводников, тепловую площадку и, при необходимости, внешний радиатор. Медные полигоны и переходные отверстия на PCB снижают температуру перехода.

Параллельное включение: при необходимости получить очень большой ток можно использовать несколько MOSFET параллельно, обеспечив равномерное распределение тока и согласованное управление затворами.

Корпус и надёжность
TO-263-3 (D2PAK) подходит для автоматической пайки оплавлением и силовых SMD-применений. Для надёжной работы на PCB предусмотрите достаточную площадь меди и усиленные контактные площадки.

При работе в диапазоне температур автомобильного или промышленного оборудования от -55 ℃ до +175 ℃ учитывайте увеличение RDS(on) при высокой температуре и усталость паяных соединений из-за термоциклирования. Развязка, демпфирование и плавный запуск помогают снизить тепловую нагрузку.