WMSIC Электронные компоненты

Jingdao Microelectronics BZT52C3V3W

МодельBZT52C3V3W
КорпусSOD-123W
БрендElectronic
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
Jingdao Microelectronics BZT52C3V3W
Тип
Jingdao Microelectronics
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
Jingdao Microelectronics
Модель
BZT52C3V3W
Шаг
1
Корпус
SOD-123W
Категория
стабилитрон
Вес
0.034g
Минимальный заказ
1
Импеданс (Zzt)
95Ω
Артикул
BM0231130817
Конфигурация диода
1 независимый
Обратный ток (Ir)
5uA@1V
Рассеиваемая мощность (Pd)
500mW
Напряжение стабилизации (диапазон)
3.1V~3.5V
Диапазон рабочей температуры перехода
55℃~+150℃
Минимальная упаковочная единица
Диск

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

BZT52C3V3W W3 — стабилитрон

Описание
BZT52C3V3W W3 — отдельный маломощный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 3.3V и диапазоном 3.1V ~ 3.5V. Применяется для стабилизации напряжения в маломощных цепях, формирования опорного напряжения и ограничения импульсных перенапряжений. Корпус SOD-123W подходит для поверхностного монтажа (SMT) и автоматизированной сборки.

Основные характеристики
Номинальное напряжение стабилизации: 3.3V (диапазон 3.1V ~ 3.5V)
Обратный ток Ir: ≤ 5 μA @ 1.0V
Импеданс Zzt: 95 Ω
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 500 mW
Рабочая температура перехода: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOD-123W

Электрические характеристики
В типовых условиях испытаний напряжение стабилизации составляет 3.3V. При измерении при 1.0V обратный ток утечки составляет 5 μA. Импеданс Zzt=95 Ω указывает на повышенное динамическое сопротивление: выходное напряжение заметно зависит от тока. Устройство подходит для стабилизации и защиты в цепях с малым током. Максимальная рассеиваемая мощность в установившемся режиме составляет 500 mW; при проектировании следует учитывать запас по мощности, надежности и сроку службы.

Тепловые характеристики и мощность
Допустимую нагрузку следует рассчитывать с учетом напряжения и тока диода. Приблизительный расчет:
При номинальном Vz = 3.3V теоретический максимальный ток Imax ≈ Pd / Vz ≈ 151 mA.
При минимальном напряжении стабилизации 3.1V Imax ≈ 161 mA. Рекомендуется использовать снижение номинала по току, например ограничить рабочий Iz диапазоном 30~80 mA. Для отвода тепла предусмотрите медную заливку на PCB и размещайте рядом термочувствительные компоненты с учетом нагрева.

Типовые применения и выбор
Области применения:
Стабилизация или формирование опорного напряжения в маломощных цепях
Ограничение переходных процессов и защита от перенапряжения
Локальная стабилизация питания коммуникационных устройств и датчиков
Бытовая электроника, измерительные приборы и портативные устройства

Рекомендации по выбору и проектированию:
Для более точной стабилизации или малошумящего опорного напряжения используйте специализированный источник опорного напряжения с низким импедансом и низким температурным дрейфом. Это устройство рассчитано на экономичные применения с небольшим током.
При использовании в шунтирующем стабилизаторе выберите токоограничивающий резистор R: R = (Vin - Vz) / (Iz + IL), где Iz — ток стабилитрона, необходимый для стабилизации, а IL — ток нагрузки. Рассчитайте мощность диода Pd = Vz × Iz и убедитесь, что она не превышает номинальное значение; также учитывайте нагрев. Пример: Vin=12V, Vz=3.3V, IL=5 mA, Iz=5 mA; R = (12-3.3)/(5+5)mA = 870 Ω, мощность диода Pd ≈ 3.3V × 5 mA = 16.5 mW.

Корпус и надежность
Компактный корпус SOD-123W подходит для автоматизированного поверхностного монтажа и пайки оплавлением. Диапазон рабочей температуры перехода составляет -55 ℃ ~ +150 ℃. Длительная надежность зависит от теплового режима, соблюдения профиля пайки оплавлением и работы с запасом относительно предельной мощности.

Рекомендации по применению
При выборе токоограничивающего резистора и рабочей точки обеспечьте рассеиваемую мощность значительно ниже 500 mW.
При повышенном динамическом импедансе для компенсации значительных изменений нагрузки предусмотрите достаточный ток стабилитрона или выберите более точный компонент.
Соблюдайте полярность и ограничения по температуре пайки; повторные циклы пайки при высокой температуре могут ухудшить характеристики.
Для условий высокой влажности и повышенной нагрузки на окружающую среду применяйте защитное покрытие корпуса или conformal coating.

Модель: BZT52C3V3W W3
Корпус: SOD-123W
Для опорного напряжения 3.3V с меньшим импедансом или более высокой точностью можно использовать источник опорного напряжения с большей допустимой мощностью или стабилитрон с низким импедансом. Для ограничения импульсов без стабилизации напряжения можно выбрать диод с большей поглощаемой энергией.
Приведенные сведения основаны на указанных параметрах. Для окончательной проверки проекта следует обратиться к подробной технической документации, включая данные о тестовом токе Izzt, температурном коэффициенте и максимальном обратном напряжении.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.