WMSIC Электронные компоненты

JSMSEMI AON7534-JSM AON7534

МодельAON7534-JSM
КорпусDFN-8(3x3)
БрендJSMSEMI
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
JSMSEMI AON7534-JSM AON7534
Тип
JSMSEMI
Минимальная упаковка
5000 编带

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
JSMSEMI
Модель
AON7534-JSM
Шаг
1
Корпус
DFN-8(3x3)
Количество
1 N-канальный
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.051g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0230664891
Рассеиваемая мощность (Pd)
100W
Минимальная упаковочная единица
Лента
Минимальное количество в упаковке
5000
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Входная емкость (Ciss)
750pF
Выходная емкость (Coss)
530pF

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

AON7534-JSM — описание

AON7534-JSM — N-канальный силовой MOSFET для коммутации больших токов и управления питанием. Номинальное напряжение сток–исток составляет 30V, непрерывный ток стока — 44A. Корпус DFN-8 (3×3). При низком напряжении затвора устройство имеет малое сопротивление открытого канала; характеристики переключения и паразитных емкостей подходят для средне- и высокоскоростных режимов. Применяется в синхронных выпрямителях, ключах нагрузки, понижающих преобразователях и распределении питания.

Основные параметры

Напряжение сток–исток Vdss: 30V
Непрерывный ток стока Id: 44A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 8.7 mΩ @ Vgs=4.5V, Id=9A
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5V @ 250 μA
Полный заряд затвора Qg: 18 nC @ Vgs=10V
Входная емкость Ciss: 750 pF
Емкость обратной передачи Crss: 37 pF
Выходная емкость Coss: 530 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 100W (номинальная; фактический теплоотвод зависит от конструкции PCB)
Корпус: DFN-8 (3×3)

Особенности

Низкое RDS(on): 8.7 mΩ при типовом напряжении затвора 4.5V подходит для логического управления и драйверов со средним напряжением затвора, снижая потери проводимости.

Умеренный заряд затвора: Qg = 18 nC (10V) позволяет сочетать потери переключения и мощность управления на средних и высоких частотах. Требования к драйверу умеренные.

Небольшие паразитные емкости: Coss=530 pF и Crss=37 pF помогают уменьшить энергию переключения и влияние мертвого времени на поведение ключа.

Компактный корпус DFN-8 (3×3) занимает мало места на плате. Центральная тепловая площадка может улучшить теплоотвод при соответствующем проектировании PCB.

Типичные области применения

Нижний или верхний ключ синхронного выпрямителя и понижающего (Buck) преобразователя при напряжении шины до 30V
Ключи нагрузки с высоким током, распределение питания и схемы защиты
Полумосты моторных приводов и массивы низковольтных MOSFET для управления двигателями малой и средней мощности
Ключевые элементы зарядных устройств и систем управления батареями (BMS) при соответствии уровню напряжения системы

Оценка потерь переключения и управления

Энергия управления: энергия заряда затвора за одно переключение составляет приблизительно E_gate = Qg × Vg = 18 nC × 10 V = 180 nJ. При частоте переключения 100 kHz мощность управления затвором составляет около 18 mW, без учета потерь в обратном контуре.

Энергия емкости Coss: при одном переключении поглощаемая энергия составляет приблизительно E_Coss = 0.5 × Coss × V^2 = 0.5 × 530 pF × (30 V)^2 ≈ 238.5 nJ; при 100 kHz мощность составляет около 24 mW.

Потери проводимости: при непрерывном токе 9 A оценка составляет P_on ≈ I^2 × RDS(on) = 9^2 × 0.0087 ≈ 0.71 W. Учитываются только потери проводимости; на средние потери влияют фактический импульсный ток и частота.

Это ориентировочные расчеты. Для точной оценки учитывайте рабочий ток, частоту переключения, мертвое время и реальные формы напряжения на компоненте.

Корпус и теплоотвод

Корпус DFN-8 (3×3) занимает мало места на плате, при этом теплоотвод сильно зависит от конструкции PCB. Рекомендуется использовать большую медную область под компонентом и несколько переходных отверстий для передачи тепла на внутренние и нижний слои меди.

Центральная тепловая площадка (exposed pad) должна быть хорошо припаяна. Конструкцию контактных площадок выбирайте по рекомендациям производителя; при их отсутствии используйте достаточную площадь площадки и несколько vias.

Номинальная рассеиваемая мощность составляет 100 W. Для ее достижения в компактном корпусе DFN требуются эффективный теплоотвод PCB и низкая температура окружающей среды. Рассчитывайте тепловой режим с учетом фактического теплового сопротивления PCB и ограничений температуры перехода, затем проверяйте его моделированием и экспериментально.

Рекомендации по монтажу и применению

Силовая цепь: сокращайте токовый контур и увеличивайте площадь обратного силового полигона, чтобы уменьшить паразитную индуктивность, звон при переключении и EMI.

Управление затвором: для проверки характеристик открытого канала используйте драйвер 10 V или 4.5 V согласно условиям измерения RDS(on). При ограниченном токе драйвера учитывайте влияние Qg на времена нарастания и спада; при необходимости применяйте демпфирование или резистор затвора для управления dv/dt.

Защита: для защиты от перегрева и короткого замыкания используйте подходящие измерение тока и логику защиты, чтобы избежать отказа из-за длительного перегрева.

Проверка: перед серийным производством проведите тепловые испытания, испытания на длительное старение и измерения потерь в различных режимах работы.

Выбор компонента

AON7534-JSM подходит для высокотоковых схем до 30V с низкими потерями и плотной компоновкой. Для требований к высокой частоте переключения или очень низкому сопротивлению открытого канала сравните RDS(on), Qg и тепловое сопротивление корпусов с учетом рабочего напряжения, частоты переключения и условий охлаждения. Для надежного проектирования используйте полное техническое описание с предельными параметрами, тепловым сопротивлением, рекомендуемыми размерами контактных площадок и типовыми осциллограммами.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.