JSMSEMI TIP3055

TIP3055 — мощный транзистор NPN в корпусе TO-247-3 для силовых переключающих и линейных усилительных схем на низких и средних частотах. Предназначен для работы с теплоотводом.

Основные параметры

Тип транзистора: NPN (BJT)
Ток коллектора Ic: 15 A
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo: 60 V
Мощность рассеяния Pd: 6 W; в других данных указано 90 W
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 20 (4 A, Vce = 4 V)
Граничная частота fT: 2.5 MHz
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat): 3 V @ 10 A; также указано 3.3 V
Напряжение пробоя эмиттер–база Vebo: 7 V
Корпус: TO-247-3

Рекомендации по управлению и тепловому режиму

При большом токе коэффициент hFE составляет около 20, поэтому для насыщения требуется достаточный ток базы. Ориентировочно Ib = Ic / hFE; при Ic = 10 A значение Ib ≈ 0.5 A. Предусмотрите запас по току базы.

При токе порядка 10 A напряжение VCE(sat) может достигать нескольких вольт, что увеличивает потери при переключении и требования к охлаждению. Частота fT = 2.5 MHz подходит для сетевых, аудио- и низкоскоростных PWM-приложений.

Максимальное значение мощности рассеяния зависит от условий охлаждения. Устанавливайте транзистор на подходящий теплоотвод и учитывайте тепловое сопротивление, предельную температуру перехода и область безопасной работы (SOA). Перед проектированием сверьте параметры и условия измерения с официальной технической документацией.

Типовые применения

Линейные усилители мощности и выходные каскады аудиоусилителей.

Выходные каскады источников питания и стабилизаторов малой и средней мощности.

Управление двигателями постоянного тока, реле и клапанами. Для индуктивных нагрузок используйте быстродействующий обратный диод или RC-цепь подавления выбросов.

Силовые переключающие схемы с невысокой частотой.

При проектировании учитывайте запас тока базы, защиту от обратных выбросов на индуктивной нагрузке и ограничение Vebo. Для высокочастотного переключения выбирайте силовой MOSFET или быстродействующий BJT с более высокой fT.