JSMSEMI SI2301-A1SHB SI2301

SI2301-A1SHB — маломощный P-канальный MOSFET в корпусе SOT-23, предназначенный для управления питанием портативных устройств и коммутации по верхнему плечу при низком напряжении и малом токе.

Основные параметры

Тип: P-канальный MOSFET, одиночный
Напряжение сток–исток Vdss: 20 V
Непрерывный ток стока Id: 2.3 A (максимум, ограниченный тепловыми характеристиками корпуса; фактическое значение зависит от охлаждения PCB)
Сопротивление открытого канала RDS(on): 112 mΩ @ VGS = 4.5 V (для включения P-канального транзистора требуется VGS = -4.5 V)
Пороговое напряжение VGS(th): 1 V @ ID = 250 μA
Полный заряд затвора Qg: ≈10 nC @ 4.5 V
Входная емкость Ciss: 405 pF
Емкость обратной передачи Crss: 55 pF
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 350 mW (SOT-23; зависит от температуры окружающей среды и площади меди PCB)
Рабочая температура: -55 ℃ до +150 ℃
Корпус: SOT-23
Производитель: JSMSEMI

Типичные применения
Коммутация по верхнему плечу и отключение нагрузки в устройствах с батарейным питанием
Выбор источника питания и схемы ORing
Управление питанием портативных устройств, включая аксессуары для телефонов, устройства Bluetooth и портативные датчики
Защита от обратного тока и изоляция напряжения
Низковольтная и маломощная коммутация, замена аналоговых ключей

Указания по применению
При использовании P-канального транзистора в качестве ключа верхнего плеча исток подключают к положительному выводу питания. Для открытия на затвор относительно истока подают отрицательное напряжение VGS, например, подтягивая затвор к земле для получения -Vsource. Максимальное напряжение затвор–исток следует сверять с полным техническим описанием.

Номинальный непрерывный ток составляет 2.3 A, а рассеиваемая мощность корпуса SOT-23 — 350 mW, поэтому при больших токах требуется учитывать охлаждение PCB. Потери рассчитываются по формуле P = I^2·RDS(on): при 1 A они составляют около 0.112 W, при 2.3 A — около 0.59 W, что превышает Pd корпуса. Для ограничения нагрева увеличивают площадь медного покрытия или ограничивают пиковый ток и коэффициент заполнения.

Qg ≈ 10 nC и Ciss = 405 pF указывают на умеренно низкие емкость затвора и заряд управления. Транзистор подходит для управления от MCU или маломощного драйвера. При быстром переключении или большой нагрузке учитывают необходимый ток управления; последовательный резистор затвора, например ~10 Ω, помогает подавить колебания и снизить коммутационные нагрузки.

Crss (55 pF) влияет на эффект Миллера и может увеличивать время переключения. При проектировании учитывают коммутационные потери и электромагнитные помехи.

Разводка PCB и теплоотвод

Для снижения теплового сопротивления между переходом и окружающей средой оставляют достаточную площадь меди под выводами SOT-23 и в местах подключения истока и стока.
Укорачивают дорожки от MOSFET к нагрузке и источнику питания, чтобы уменьшить дополнительное последовательное сопротивление и индуктивность.
При высокочастотной коммутации и больших токах размещают развязывающие конденсаторы рядом с компонентом, снижая паразитные параметры и импеданс контура.

Примеры включения

Ключ верхнего плеча: исток подключают к положительному выводу батареи, сток — к нагрузке; затвор управляется MCU через подтягивающий или стягивающий резистор. Для включения между затвором и истоком создают достаточное отрицательное напряжение.
Защита от обратного тока: используют встроенные свойства P-канального транзистора для уменьшения прямого падения напряжения и автоматической изоляции.
На этапе создания прототипа проверяют нагрев и работу под реальной нагрузкой.