JJW JMTN2310A

JMTN2310A — N-канальный полевой транзистор MOSFET малой мощности для силовых ключевых схем с напряжением до 60V. Корпус SOT-89-3L. Непрерывный ток стока в типовом режиме составляет 3A, максимальная рассеиваемая мощность — 1.4W. Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃.

Основные параметры:

• Тип: одиночный N-канальный MOSFET.
• Напряжение сток–исток (Vdss): 60V.
• Непрерывный ток стока (Id): 3A.
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 119mΩ при Vgs = 4.5V.
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.2V.
• Заряд затвора (Qg): 6nC при Vgs = 4.5V.
• Входная ёмкость (Ciss): 350pF.
• Ёмкость обратной передачи (Crss): 23pF.
• Рассеиваемая мощность (Pd): 1.4W.
• Корпус: SOT-89-3L.

Применяется в маломощных понижающих и повышающих преобразователях DC-DC, модулях управления питанием, цепях защиты аккумуляторов, приводах небольших двигателей, для управления реле, нагрузками платы и светодиодной подсветкой.

При Vgs = 4.5V сопротивление RDS(on) составляет 119mΩ. При токе стока 1A потери проводимости составляют около 0.12W. Для частого переключения или повышенной частоты следует учитывать требования к драйверу затвора и потери при переключении. Допустимая мощность зависит от охлаждения платы, температуры окружающей среды и конструкции контактных площадок. Для снижения температуры перехода можно увеличить площадь меди и использовать тепловые переходные отверстия.

При напряжении управления 10V возможно получить более низкое сопротивление открытого канала. Для управления от 3.3V следует проверить, соответствует ли проводимость требованиям системы; значение RDS(on) указано при Vgs = 4.5V. Цепи затвора рекомендуется выполнять короткими, а соединения истока и обратного токового пути — с низким сопротивлением. Для подавления колебаний можно установить резистор между затвором и истоком. При коммутации индуктивных нагрузок следует предусмотреть защиту от выбросов напряжения выше 60V.