KUU S8050

S8050 (KUU), маломощный NPN-транзистор, SOT-23

Обзор
S8050 (KUU) — маломощный кремниевый биполярный транзистор NPN в корпусе SOT-23. Максимальный ток коллектора составляет 500mA, напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo — 25V, максимальная рассеиваемая мощность Pd — 300mW. Предназначен для низковольтных схем коммутации и усиления с малым и средним током. Компактный корпус подходит для печатных плат с высокой плотностью монтажа и автоматической поверхностной установки.

Основные параметры
Тип: кремниевый биполярный транзистор NPN
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: ≈80 (при 50mA и VCE=1V)
Максимальный ток коллектора Ic(max): 500mA
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo: 25V
Ток отсечки коллектора Icbo: ≈1μA
Рассеиваемая мощность Pd: 300mW
Напряжение пробоя эмиттер–база Vebo: 5V
Напряжение насыщения VCE(sat): около 500mV
Корпус: SOT-23

Особенности и применение
Для коммутации токов малого и среднего значения в системах с напряжением до 25V, например для управления малогабаритными реле, светодиодными массивами и маломощными двигателями.
Может использоваться как усилитель малого сигнала; hFE≈80 в указанной рабочей точке.
Поверхностный монтаж в корпусе SOT-23 подходит для автоматической установки и компактных устройств.
Низкий ток утечки Icbo≈1μA подходит для батарейного питания и дежурных режимов.

Рекомендации по применению
При проектировании следует соблюдать VCE＜25V, Ic＜500mA и ограничение Pd=300mW. При повышенной температуре необходимо снижать допустимую рассеиваемую мощность.
Теплоотвод корпуса SOT-23 ограничен. Для увеличения запаса по мощности рекомендуется предусмотреть медную площадку или область теплоотвода на печатной плате.
Для работы в режиме насыщения требуется достаточный ток базы. Формула расчёта: Rb=(Vdrive−Vbe)/Ib, Ib≈Ic/βsat (βsat обычно значительно меньше hFE; для расчёта с запасом используют 10~20). Например, при Vdrive=5V, Ic=100mA, βsat=10 и Vbe≈0.7V значение Rb составляет примерно 430Ω.
Vebo=5V: не допускайте превышения этого значения обратным напряжением между базой и эмиттером.
Icbo увеличивается с температурой; учитывайте влияние утечки при высокой температуре и длительном дежурном режиме.

Корпус и выводы
Корпус SOT-23, три вывода для поверхностного монтажа. Типовая распиновка (может различаться; перед применением следует свериться с чертежом корпуса или технической документацией KUU): вывод 1 — база (B), вывод 2 — эмиттер (E), вывод 3 — коллектор (C).
Для улучшения теплоотвода рекомендуется разместить рядом с компонентом медную площадку и предусмотреть подходящую конструкцию паяльной маски для надёжной пайки.

Надёжность и эксплуатация
При хранении и монтаже соблюдайте общие требования к упаковке полупроводников, учитывая указания производителя по уровню влагочувствительности (MSL). При пайке оплавлением используйте рекомендованный температурный профиль.
Внутренние переходы чувствительны к электростатическому разряду; при обращении и монтаже соблюдайте меры ESD-защиты.
Перед серийным применением рекомендуется проверить усиление, характеристики насыщения, ток утечки и тепловые свойства по технической документации и на образцах.
S8050 (KUU) в корпусе SOT-23 предназначен для низковольтной коммутации токов среднего значения и усиления малых сигналов в бытовой электронике, связи и системах промышленного управления. Выбор и проектирование следует выполнять с учётом рабочей точки, условий теплоотвода и технической документации производителя.