KEC KTB1151-Y-U/PH

Обзор KTB1151-Y-U/PH

KTB1151-Y-U/PH — дискретный силовой биполярный транзистор PNP производства KEC для коммутации и линейного усиления средней мощности. Он имеет высокий коэффициент передачи постоянного тока hFE и низкое напряжение насыщения при средних токах. Корпус TO-126 предназначен для монтажа на печатную плату и отвода тепла.

Основные параметры (типовые значения и данные из исходного описания):

• Тип: PNP, одиночный дискретный транзистор
• Модель: KTB1151-Y-U/PH
• Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 160 @ Ic = 2A, VCE = 1V
• Ток коллектора Ic: максимум 5A
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 60V
• Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 7V
• Ток отсечки коллектора Icbo: 10 μA
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): типовое 140 mV
• Рассеиваемая мощность Pd: 20W (при надлежащем теплоотводе)
• Производитель: KEC
• Корпус: TO-126

Основные особенности: высокий hFE при Ic = 2A и VCE = 1V; типовое VCE(sat) около 140 mV при заданных условиях испытания; значения Vceo 60V и Ic максимум 5A; корпус TO-126 с возможностью установки радиатора; типовой Icbo 10 μA.

Типовые применения: верхний ключ PNP в автомобильной электронике и промышленном управлении; последовательный элемент линейного стабилизатора или выходной каскад линейного усилителя; комплементарный выходной каскад аудиоусилителя; управление маломощными двигателями постоянного тока и реле; усиление и коммутация в силовых схемах с напряжением до 60V и током в несколько ампер.

При проектировании учитывайте отвод тепла: мощность Pd 20W предполагает соответствующие условия охлаждения. Выбирайте радиатор и компоновку с учётом площади печатной платы и температуры окружающей среды. Не превышайте Vebo = 7V, включая переходные режимы. Для индуктивной нагрузки предусмотрите защиту от обратного напряжения и импульсных перенапряжений. При большом токе обеспечьте достаточный ток базы. Расположение выводов и способ монтажа уточняйте по документации на корпус TO-126.

При выборе замены сопоставьте Vceo, Ic, hFE, VCE(sat) и тепловое сопротивление корпуса. Для напряжения или тока выше 60V/5A рассмотрите транзистор с соответствующими номиналами; для меньшего напряжения насыщения или большей рассеиваемой мощности может подойти корпус TO-220/TO-247.