LRC LBC856BDW1T1G

Обзор LBC856BDW1T1G

LBC856BDW1T1G — маломощный биполярный транзистор PNP в миниатюрном корпусе SOT-363, предназначенный для усиления сигналов и переключения в портативных устройствах и схемах с высокой плотностью монтажа. При малом токе компонент обеспечивает высокий коэффициент передачи постоянного тока, широкий диапазон рабочих температур и низкий ток утечки.

Основные характеристики

Тип транзистора: PNP (малосигнальный транзистор)
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 150 (условия измерения Ic = 2.0 mA, VCE = 5.0 V)
Максимальный ток коллектора Ic: 100 mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 65 V
Ток отсечки коллектора Icbo: типовое значение 4 μA
Частота перехода fT: 100 MHz
Рассеиваемая мощность коллектора Pd: 380 mW
Напряжение пробоя эмиттер-база Vebo: 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): типовое значение 650 mV (Ic = 10 mA, Ib = 0.5 mA)
Диапазон рабочей температуры: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT-363

Сводка электрических параметров

hFE=150 @ Ic=2mA, VCE=5V: подходит для малосигнального усиления.
VCEO=65V: допускает применение в качестве переключателя или межкаскадного компонента в схемах со средним напряжением.
fT=100MHz: сохраняет приемлемое усиление в диапазоне VHF и подходит для ВЧ-усилителей и входных каскадов.
Icbo=4μA: низкий ток утечки подходит для схем с требованиями к низкому потреблению в статическом режиме.

Корпус и теплоотвод

Миниатюрный корпус SOT-363 подходит для мобильных устройств и плотного SMT-монтажа. При Pd 380 mW учитывайте тепловое сопротивление корпуса. Размещайте компонент рядом с медной площадкой большой площади или плоскостью земли для улучшения теплоотвода. При длительной работе с высоким током или частом переключении используйте тепловую защиту либо снизьте коэффициент заполнения. Для повышения эффективности теплоотвода предусмотрите тепловые площадки и переходные отверстия.

Типовые области применения

Усиление малых сигналов и преобразование уровней в портативных устройствах
Предварительное усиление и цепи смещения в мобильных терминалах и беспроводных модулях
Маломощные схемы переключения и управления, например управление малогабаритными реле и маломощное управление светодиодами
Маломощные аналоговые схемы, интерфейсы датчиков и схемы формирования сигналов

Рекомендации по применению

При Vebo=5V не допускайте чрезмерного обратного напряжения на базе; при необходимости установите между базой и эмиттером ограничительный или защитный компонент.
Учитывайте падение напряжения около 650 mV при переключении нагрузки в указанных условиях измерения.
Чтобы избежать неопределенного состояния при плавающей базе, установите резистор подтяжки или задайте четкую цепь смещения.
В высокочастотных схемах контролируйте длину дорожек и паразитную емкость, чтобы уменьшить изменения усиления и фазы.
При монтаже соблюдайте требования защиты от ESD; компактный корпус SOT-363 чувствителен к статическому электричеству.

Надежность и условия эксплуатации

Диапазон рабочей температуры составляет -55 ℃ до +150 ℃ и подходит для промышленной среды и эксплуатации при повышенных и пониженных температурах. При высокой температуре контролируйте рассеиваемую мощность и температуру перехода. Для увеличения срока службы предусмотрите запас по току и мощности.

LBC856BDW1T1G сочетает высокий hFE, низкий ток утечки и умеренную стойкость к напряжению. Подходит для малосигнального усиления и маломощного переключения в портативной и телекоммуникационной аппаратуре. При необходимости более высокой мощности или меньшего напряжения насыщения используйте транзистор в корпусе большего размера либо специализированную силовую модель. Для комплементарной пары NPN/PNP можно выбрать соответствующий компонент.