WMSIC Электронные компоненты

LRC LP3218DT1G

МодельLP3218DT1G
КорпусDFN 2020-6S
БрендLRC
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
LRC LP3218DT1G
Тип
LRC
Минимальная упаковка
5000

Технические параметры

Бренд
LRC
Модель
LP3218DT1G
Шаг
1
Корпус
DFN 2020-6S
Количество
1 P-канал
Тип
P-канал
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.024g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0230027923
Рабочая температура
55℃~+150℃
Минимальное количество в упаковке
5000
Напряжение сток-исток (Vdss)
12V
Входная емкость (Ciss)
2.24nF
Выходная емкость (Coss)
240pF
Заряд затвора (Qg)
[email protected]

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

LP3218DT1G — MOSFET с каналом P для высокобоковой коммутации низкого напряжения и управления питанием. Номинальное напряжение сток–исток составляет 12V, непрерывный ток стока — 8.2A. Сопротивление RDS(on) составляет 18mΩ при VGS=4.5V и ID=7A. Диапазон рабочих температур: -55℃ до +150℃. Корпус DFN 2020-6S подходит для компоновки печатных плат высокой плотности.

Основные электрические параметры
Тип: MOSFET с каналом P
Напряжение сток–исток Vdss: 12V
Непрерывный ток стока Id: 8.2A
Сопротивление во включенном состоянии RDS(on): 18mΩ @ VGS=4.5V, ID=7A
Пороговое напряжение VGS(th): 1V @ 250µA
Полный заряд затвора Qg: 28nC @ VGS=4.5V
Входная емкость Ciss: 2.24nF
Выходная емкость Coss: 240pF
Емкость обратной передачи Crss: 210pF
Номинальная рассеиваемая мощность (справочная): 1.7W
Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃
Корпус: DFN 2020-6S (6 выводов)

Низкое сопротивление RDS(on) снижает потери проводимости в системах 12V. Пороговое напряжение VGS(th)≈1V позволяет использовать логическое управление от MCU или микросхем управления питанием. Заряд затвора 28nC обеспечивает компромисс между скоростью переключения и энергией управления.

Типичные применения: высокобоковая коммутация в системах управления батареями и переключения линий питания; включение и выключение нагрузки в портативных устройствах, защита от переполюсовки и управление зарядкой; низковольтная изоляция и схемы плавного запуска в модулях питания; компактная коммутация с большим током.

При использовании в качестве высокобокового ключа с каналом P для включения требуется отрицательное напряжение затвор–исток (Vg ниже потенциала истока); для выключения напряжение затвора приближают к потенциалу истока. Значение RDS(on) приведено при VGS=4.5V; при меньшем напряжении управления сопротивление увеличивается. Для отвода тепла рекомендуется предусмотреть медную площадку и переходные отверстия на печатной плате. Для быстрого переключения требуется соответствующий ток драйвера затвора.

Для систем с напряжением выше 12V или повышенными требованиями к отводу тепла следует выбирать компонент с более высоким Vdss или корпусом большего размера. При высоких требованиях к эффективности следует оценить потери переключения с учетом частоты и возможностей драйвера. Перед применением необходимо свериться с полным техническим описанием и проверить предельные параметры и температурные характеристики.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.