LRC L2N7002SWT1G

L2N7002SWT1G — одиночный MOSFET с каналом N и индуцированным каналом, рассчитанный на напряжение сток–исток 60V. Предназначен для коммутации и управления сигналами при малом и среднем токе. Корпус SC-70 подходит для компактных устройств.

Основные электрические параметры
Полярность: канал N
Напряжение сток–исток Vdss: 60V
Сопротивление во включенном состоянии RDS(on): 2.8Ω @ Vgs=10V
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.0V @ Id=250μA
Непрерывный ток стока Id: 380mA (макс.)
Рассеиваемая мощность Pd: 420mW (макс.)
Входная емкость Ciss: 35pF; выходная емкость Coss: 10pF; емкость обратной передачи Crss: 5pF
Заряд затвора Qg: 440pC @ Vgs=4.5V
Количество: 1 шт.

При Vgs=10V сопротивление RDS(on) составляет 2.8Ω, поэтому компонент подходит для малоточных ключей и сигнальных применений. При токе Id=380mA потери проводимости составляют примерно 0.40W, что близко к предельной рассеиваемой мощности 420mW; необходимо учитывать нагрев и запас по мощности.

Vgs(th)=2.0V — это порог включения, который не определяет сопротивление во включенном состоянии. При напряжении управления затвором 4.5–5V сопротивление обычно выше значения, указанного для 10V. Небольшие значения Ciss/Coss/Crss помогают снизить паразитные эффекты. Заряд затвора [email protected] влияет на выбор драйвера и потери переключения. Для времени нарастания 100ns расчетный пиковый ток затвора составляет примерно 4.4mA.

Корпус SC-70 имеет ограниченные возможности отвода тепла, зависящие от конструкции печатной платы. Для улучшения охлаждения следует увеличить площадь меди и использовать тепловые переходные отверстия. При длительной или повторяющейся работе с высоким током следует оценить нагрев; может потребоваться параллельное включение или корпус большего размера.

Типичные применения: малоточная коммутация нагрузок под управлением микроконтроллера, драйверы подсветки и индикаторов при низком энергопотреблении; преобразование уровней и коммутация сигналов TTL/CMOS; маломощная защита от переполюсовки и схемы обнаружения заклинивания.

При работе с токами от десятков до сотен миллиампер и повышенными требованиями к потерям или нагреву следует рассмотреть MOSFET с меньшим RDS(on), корпусом большего размера или более высоким Pd. Если доступно напряжение затвора ≤5V, следует проверить RDS(on) и нагрев при фактическом Vgs. Для снижения потерь может потребоваться напряжение управления, близкое к 10V. В высокоскоростных схемах резистор затвора помогает подавить колебания; скорость управления следует согласовать с потерями переключения и EMI. Конструкцию контактных площадок и профиль оплавления следует выбирать с учетом требований к корпусу.