LRC L2N7002EM3T5G

Обзор: L2N7002EM3T5G

L2N7002EM3T5G — малосигнальный MOSFET с N-каналом и индуцированным каналом в сверхминиатюрном корпусе SOT-723. Предназначен для малоточных ключевых применений с ограниченным пространством на плате. Диапазон рабочей температуры: -55℃ ～ +150℃.

Основные параметры

Тип: N-канальный MOSFET с индуцированным каналом.
Напряжение сток-исток Vdss: 60 V.
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V (типовое).
Сопротивление открытого канала RDS(on): 7.5 Ω @ Vgs=5 V、Id=0.05 A.
Непрерывный ток стока Id: 115 mA (при ограниченных условиях).
Рассеиваемая мощность Pd: 150 mW.
Входная емкость Ciss: 50 pF @ 25 V.
Емкость обратной передачи Crss: 5 pF.
Корпус: SOT-723.
Количество: 1 шт./ед.

Характеристики и применение

Компактный корпус подходит для высокоплотного монтажа на PCB. Напряжение Vdss 60 V позволяет использовать транзистор в низко- и средневольтных ключевых цепях. Низкая емкость затвора (Ciss≈50 pF) способствует быстрому переключению и снижению энергии управления; возможное управление от MCU или логического уровня.

Применяется как нижний ключ и драйвер малой нагрузки в MCU и цифровых схемах, для переключения сигналов, мультиплексирования и защиты, а также в портативных устройствах, коммуникационных модулях и измерительных приборах.

Тепловой режим

Из-за сверхминиатюрного корпуса SOT-723 тепловое сопротивление велико, а мощность ограничена значением Pd=150 mW. Снижайте VDS для уменьшения потерь проводимости (P = I^2·RDS или P = VDS·ID). При длительной работе с высоким током или VDS используйте плату с увеличенной площадью меди для теплоотвода либо уменьшайте коэффициент заполнения. Обеспечьте свободное пространство для отвода тепла.

Рекомендации по применению

При управлении напряжением 3.3 V значение RDS(on) будет выше, чем 7.5 Ω при Vgs=5 V. Для меньшего сопротивления открытого канала используйте управление 5 V.

При работе с индуктивной нагрузкой предусмотрите параллельный защитный элемент или ограничение тока, чтобы снизить амплитуду переходных выбросов VDS. Для подавления колебаний можно включить в цепь затвора резистор 50–200 Ω; резистор подтяжки 100 kΩ предотвращает плавающее состояние затвора.

Сверхминиатюрный корпус чувствителен к статическому электричеству. Соблюдайте меры защиты выводов и рекомендуемый режим пайки оплавлением. Если рабочий ток или средняя рассеиваемая мощность приближаются к предельным значениям, рассмотрите компонент с большей мощностью или меньшим RDS(on).