WMSIC Электронные компоненты

LRC LP2305DSLT1G

МодельLP2305DSLT1G
КорпусSOT-23
БрендLRC
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

19 характеристик

Основная информация

Название товара
LRC LP2305DSLT1G
Тип
LRC
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Бренд
LRC
Модель
LP2305DSLT1G
Шаг
1
Корпус
SOT-23
Количество
1 P-канал
Тип
P-канал
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.031g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0228587513
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
1.1W
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
12V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

LP2305DSLT1G — P-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа.

Основные параметры:
Vdss: 12 V
Непрерывный ток стока Id: 4 A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 68 mΩ при 4.5 V, 3.5 A
Пороговое напряжение Vgs(th): 0.8 V
Входная ёмкость Ciss: 1.245 nF; ёмкость обратной передачи Crss: 210 pF; выходная ёмкость Coss: 375 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 1.1 W
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Количество: 1 шт.

Низкое сопротивление открытого канала снижает потери проводимости. Низкое пороговое напряжение упрощает управление от микроконтроллера и схем управления питанием. Компактный корпус SOT-23 подходит для портативных устройств и схем с ограниченным пространством.

Типичные применения: верхний ключ, управление отключением аккумулятора, управление питанием портативных устройств, переключение нагрузки и выбор источника питания (OR-ing), защита и плавный запуск низковольтных цепей постоянного тока, а также маломощные преобразователи DC-DC на низких и средних частотах.

При использовании P-канального MOSFET для включения и выключения подавайте соответствующее напряжение на затвор относительно истока. Значение RDS(on) указано при напряжении управления 4.5 V; для достижения ожидаемого сопротивления обеспечьте достаточное напряжение затвор–исток.

При токе 3.5 A потери проводимости составляют примерно I²·R = 3.5² × 0.068 ≈ 0.83 W; при 4 A — около 1.09 W, что близко к номинальной рассеиваемой мощности 1.1 W. Предусмотрите запас по мощности и тепловой режим.

Приближённую оценку заряда затвора можно выполнить по формуле Qg ≈ Ciss × Vgs. При Ciss = 1.245 nF и Vgs ≈ 4.5 V заряд затвора составляет около 5.6 nC. Потери управления зависят от тока драйвера затвора и частоты переключения.

Теплоотвод корпуса SOT-23 ограничен. Для улучшения теплоотвода предусмотрите на печатной плате переходные отверстия и медные участки, сократите длину дорожек затвора и истока и избегайте теплового воздействия на чувствительные компоненты. Для силовых цепей используйте широкие медные дорожки и теплоотводящие контактные площадки.

Не превышайте предельные значения Vdss и Vgs. Для подавления выбросов при переходных процессах можно предусмотреть резистор в цепи затвора, TVS или RC-цепь.

Корпус SOT-23 подходит для автоматического монтажа и компоновки высокой плотности. При выборе учитывайте, что для более высокого тока или меньшего RDS(on) могут потребоваться корпус большего размера или другой компонент.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.