LRC LDTC114EM3T5G

LDTC114EM3T5G — предварительно смещённый NPN-транзистор, 1 шт., в корпусе SOT-723.

Максимальное напряжение коллектор—эмиттер Vceo: 50 V; максимальный ток коллектора Ic: 100 mA. Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 35 (при 5 mA, 10 V). Типичное напряжение насыщения VO(on): 200 mV. Входное сопротивление: 13 kΩ; коэффициент сопротивлений: 1. Рассеиваемая мощность Pd: 260 mW. Рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃.

Встроенные резисторы базового смещения позволяют подключать транзистор к микроконтроллеру или логическому выходу. При входном сопротивлении 13 kΩ транзистор можно управлять непосредственно от логического уровня. Оценочный ток базы: Vin/13k; ток коллектора оценивается по формуле Ic ≈ hFE × Ib.

При небольших токах, например нескольких mA, hFE ≈ 35. Типичное VO(on) ≈ 200 mV способствует снижению потерь. Допустимый средний ток зависит от скважности, температуры окружающей среды и теплоотвода корпуса SOT-723.

Применяется для низкобокового управления нагрузкой от GPIO микроконтроллера, например светодиодами, предварительными каскадами драйверов реле и маломощными электродвигателями. Также подходит для буферизации, согласования логических уровней, обнаружения уровня и коммутации малых токов в компактной портативной, бытовой и IoT-аппаратуре.

Не превышайте Vceo 50 V и Ic 100 mA. При работе около предельных значений учитывайте нагрев и снижайте нагрузку. Корпус SOT-723 имеет ограниченные возможности отвода тепла; для непрерывного тока или значительного падения напряжения требуется оценка температуры. При высокоомном входе возможна чувствительность к помехам; при необходимости используйте входную развязку или RC-фильтр.

Для выходного тока Ic = 50 mA оценочный ток базы при hFE 35 составляет около 1.5 mA. Для переключения в режиме насыщения может потребоваться больший ток управления или внешний низкоомный резистор базы. Для ответственных нагрузок проверьте VO(on) и рассеиваемую мощность моделированием или измерениями.

Количество: 1 NPN-транзистор с предварительным смещением.