LRC S-LMBT3904LT1G

S-LMBT3904LT1G — маломощный биполярный транзистор NPN в корпусе SOT-23 для усиления малых сигналов и низкопотребляющих ключевых схем.

Основные характеристики

Максимальный ток коллектора (Ic): 200 mA (кратковременный или импульсный режим).
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vceo): 40 V.
Рассеиваемая мощность (Pd): 225 mW (для корпуса SOT-23; зависит от температуры окружающей среды и условий теплоотвода).
Коэффициент передачи тока постоянного тока (hFE): около 40 при Ic=0.1 mA, VCE=1.0 V.
Граничная частота (fT): 300 MHz.
Обратный ток коллектора (Icbo): 50 nA.
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)): около 200 mV.
Напряжение пробоя эмиттер–база (Vebo): 6 V.
Рабочая температура: от -55 ℃ до +150 ℃.
Корпус: SOT-23. Количество: 1 шт.

Типовые области применения

Усилители малых сигналов, включая предварительные и дискретные каскады; ключи и драйверы цифровых схем; интерфейсы датчиков и обработка сигналов; маломощные усилители RF и высокочастотных сигналов; преобразование уровней и буферизация в портативных устройствах и системах с батарейным питанием.

Рекомендации по проектированию и монтажу

Рассеиваемая мощность определяется как P = VCE × Ic и не должна превышать 225 mW. Следует учитывать теплоотвод через медные участки PCB, температуру окружающей среды и нагрев корпуса. Для ключевого режима с низким напряжением насыщения рекомендуется обеспечить достаточный ток базы; типичное значение принудительного β (Ic/Ib) составляет 10~20. При токе около 200 mA необходимо учитывать ограничения по Pd и нагреву.

Для работы на высокой частоте следует сократить длину выводов базы, коллектора и внешних компонентов, применить развязку и согласование импедансов. Напряжение пробоя база–эмиттер составляет Vebo=6V; при монтаже и настройке требуется защита от электростатического разряда и перенапряжения базы.

Для SOT-23 рекомендуется предусмотреть на PCB увеличенную площадь меди или тепловые переходные отверстия (vias). Используйте короткую дорожку базы рядом с источником управления, а дорожку коллектора к нагрузке выполняйте короткой и широкой. Для высокочастотных цепей предусмотрите контролируемый импеданс и шунтирующий конденсатор.

Рекомендуется стандартная технология SMD-монтажа оплавлением с соблюдением температурного профиля. При хранении и обращении следует защищать компонент от влаги и статического электричества. Длительная работа при высокой температуре, близкой к 150 ℃, ускоряет старение; в проекте следует предусмотреть запас по режимам.