LRC LBC857BLT1G

LBC857BLT1G — малосигнальный PNP-транзистор в корпусе SOT-23, предназначенный для маломощных ключевых и усилительных схем.

Тип транзистора: PNP, малосигнальный биполярный.
Корпус: SOT-23, 3 вывода, поверхностный монтаж.
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 220 при Ic=2.0mA, VCE=5.0V.
Максимальный коллекторный ток Ic(max): 100mA.
Напряжение пробоя коллектор—эмиттер Vceo: 45V.
Ток утечки коллектора Icbo: 4µA.
Рассеиваемая мощность Pd: 225mW.
Граничная частота fT: 100MHz.
Напряжение пробоя эмиттер—база Vebo: 5V.
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер VCE(sat): около 650mV.
Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃.

Высокий hFE подходит для усиления тока и преобразования уровней. Частота fT≈100MHz подходит для усиления сигналов средних и высоких частот и для ключевых схем. Компактный корпус SOT-23 удобен для поверхностного монтажа и плотной компоновки PCB.

Применение: усилители малых токов и предварительные усилители, маломощные ключи и преобразователи уровней, небольшие драйверы реле, токовые зеркала, интерфейсы датчиков и обработка аналоговых сигналов.

При проектировании ключевого режима рекомендуется выбирать ток базы Ib в пределах Ic/10~1/20 для надежного насыщения. Учитывайте VCE(sat) около 650mV. Максимальная рассеиваемая мощность в корпусе SOT-23 составляет 225mW; учитывайте теплоотвод через медные площадки PCB и температуру окружающей среды. Высокий hFE может упростить малошумящее усиление; при высоком усилении требуется стабильное смещение и частотная коррекция для предотвращения генерации.

При необходимости меньшего напряжения насыщения или большей мощности следует выбрать транзистор в более крупном корпусе либо специализированный силовой транзистор. Обратное напряжение эмиттер—база Vebo≈5V; избегайте чрезмерного обратного напряжения на переходе. При работе за пределами обычного температурного диапазона или вблизи предельных значений Ic/Pd рекомендуется проверить долговременную надежность и выполнить термоциклирование.