LRC LP4565T1G

LP4565T1G — P-канальный силовой MOSFET в корпусе SOP-8 для высокосторонней коммутации и управления питанием малой и средней мощности. Номинальное напряжение сток—исток Vdss=60V, непрерывный ток стока Id=7A, типичное сопротивление открытого канала RDS(on)=100mΩ при Vgs=4.5V, максимальная рассеиваемая мощность Pd=2.9W.

Основные параметры

Тип: P-канальный MOSFET.
Напряжение сток—исток Vdss: 60V.
Непрерывный ток стока Id: 7A.
Сопротивление открытого канала RDS(on): 100mΩ при |Vgs|=4.5V.
Пороговое напряжение затвор—исток Vgs(th): около 1V при 250µA.
Полный заряд затвора Qg: около 10nC при 4.5V.
Входная емкость Ciss: 1.146nF.
Выходная емкость Coss: 84pF.
Емкость обратной передачи Crss: 60pF.
Рассеиваемая мощность Pd: 2.9W.
Диапазон рабочих температур: -55℃ ~ +150℃.
Корпус: SOP-8, для монтажа на плату.

Особенности применения

P-канальная структура подходит для высокостороннего ключа в положительной шине питания. Сопротивление открытого канала 100mΩ при |Vgs|=4.5V обеспечивает низкие потери при умеренном токе. Значения Qg=10nC и Ciss≈1.15nF характеризуют требования к драйверу затвора; средний ток затвора растет пропорционально частоте переключения, например при 100kHz он составляет около 1mA.

При проектировании учитывайте тепловые характеристики SOP-8: для отвода тепла требуется достаточная площадь меди, продуманная разводка и переходные отверстия. Для достижения номинального RDS(on) между затвором и истоком требуется разность потенциалов около 4.5V. Емкость Crss=60pF вызывает эффект Миллера, который следует учитывать при выборе драйвера и проектировании печатной платы.

Области применения

Высокосторонние ключи питания и отключение нагрузки; схемы защиты и переключения батарей; переключение питания портативных устройств; управление отключением звука и переключение сигналов; маломощные приводы двигателей, замена реле и модульные блоки управления питанием.