LRC LNTK3043NT5G

LNTK3043NT5G — обзор

LNTK3043NT5G — маломощный N-канальный MOSFET с обогащённым каналом, предназначенный для работы при низком напряжении и малом токе. Устройство подходит для коммутации и маломощного управления нагрузкой. Оно отличается низкой ёмкостью затвора, широким диапазоном рабочих температур и заданным значением сопротивления открытого канала.

Основные параметры

Тип: N-канальный MOSFET с обогащённым каналом
Максимальное напряжение сток–исток Vdss: 20 V
Максимальный непрерывный ток стока Id: 285 mA
Сопротивление открытого канала RDS(on): 3.8 Ω @ Vgs = 4.5 V, Id = 255 mA
Пороговое напряжение Vgs(th): 1.3 V (условие измерения: Id ≈ 250 μA)
Входная ёмкость Ciss: 55 pF @ Vds = 10 V
Ёмкость обратной передачи Crss: 7 pF @ Vds = 10 V
Рассеиваемая мощность Pd: 440 mW
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ до +150 ℃

Особенности и преимущества

Низкое пороговое напряжение, около 1.3 V, позволяет управлять транзистором от источников с низким напряжением и использовать его с логическими уровнями низкого напряжения.
Сопротивление открытого канала составляет 3.8 Ω при управлении напряжением 4.5 V. Этого достаточно для коммутации нагрузок с током в десятки миллиампер.
Небольшие входная и обратная ёмкости (Ciss = 55 pF, Crss = 7 pF) помогают снизить потери при переключении и заряд затвора, что удобно для быстрого переключения и высокочастотных применений.
Широкий диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃.

Типичные области применения

Коммутация маломощных нагрузок, включая небольшие реле, LED и датчики.
Преобразование логических уровней и защита интерфейсов при переключении низковольтных сигналов на нагрузку с напряжением ниже 20 V.
Устройства с питанием от аккумулятора и системы управления питанием портативного оборудования.
Универсальное усиление малых сигналов и коммутация, включая аналоговые ключи и низкоскоростные сигналы.

Рекомендации по проектированию и эксплуатации

Рассеиваемая мощность Pd = 440 mW. При длительной работе с током, близким к максимальному, следует учитывать нагрев и обеспечить отвод тепла; для этого можно предусмотреть подходящие медные площадки на PCB или снизить рабочий ток.
Значение RDS(on) указано при Vgs = 4.5 V. При управлении от напряжения 2.5 V или ниже сопротивление открытого канала заметно возрастает; оцените потери проводимости в реальном режиме.
При Vdss = 20 V транзистор предназначен для низковольтных применений. Соблюдайте номинальное напряжение во избежание пробоя.
Тип корпуса не указан. При выборе проверьте распиновку и тепловое сопротивление по полной технической документации.
Соблюдайте меры защиты от электростатического разряда (ESD) при монтаже и испытаниях, чтобы не повредить оксидный слой затвора.

Справочные электрические характеристики

Пороговое напряжение Vgs(th): около 1.3 V (Id ≈ 250 μA)
Сопротивление открытого канала RDS(on): 3.8 Ω @ Vgs = 4.5 V, Id = 255 mA
Входная ёмкость Ciss: 55 pF @ Vds = 10 V
Ёмкость обратной передачи Crss: 7 pF @ Vds = 10 V

При проектировании проверьте характеристики по полной технической документации.

Рекомендации по выбору

Для применений с требованиями к меньшему сопротивлению открытого канала или большему непрерывному току рассмотрите MOSFET большей мощности с меньшим RDS(on).
Для управления затвором напряжением 1.8 V или ниже проверьте характеристики RDS(on) при соответствующем Vgs либо выберите логический MOSFET, рассчитанный на низкое напряжение управления.
При необходимости точных данных о корпусе и тепловом сопротивлении используйте официальную техническую документацию или подтвердите параметры по образцу.

LNTK3043NT5G — N-канальный MOSFET для низковольтной коммутации с малым энергопотреблением. Он подходит для управления нагрузками с током в десятки миллиампер и преобразования логических уровней. При выборе и проектировании учитывайте рассеиваемую мощность, напряжение управления и условия теплоотвода корпуса.