LRC L2N7002KN3T5G

L2N7002KN3T5G — N-канальный MOSFET

Описание
L2N7002KN3T5G — одиночный N-канальный MOSFET с обогащённым каналом в компактном корпусе SOT‑883. Номинальное напряжение сток–исток составляет 60V. Предназначен для коммутации и управления сигналами при низкой мощности и токе, в том числе в устройствах с ограниченным пространством и требованиями к стоимости.

Основные параметры
Тип: одиночный N-канальный MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss: 60 V
Непрерывный ток стока Id: ≈380 mA (в некоторых источниках или спецификациях указано 320 mA; при выборе следует сверяться с официальным Datasheet)
Сопротивление открытого канала RDS(on): 1.8 Ω @ Vgs = 10 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 250 mW
Пороговое напряжение Vgs(th): 2.5 V @ Id = 250 µA
Заряд затвора Qg: 700 pC @ Vgs = 10 V
Входная ёмкость Ciss: 32.8 pF
Ёмкость обратной передачи Crss: 2.9 pF @ 25 V
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃
Корпус: SOT‑883

Особенности и преимущества
Компактный корпус SOT‑883 подходит для поверхностного монтажа и высокоплотной разводки PCB. Напряжение сток–исток 60V позволяет использовать компонент в низкотоковых ключах средней и высокой стороны. Низкая входная ёмкость (Ciss ≈ 32.8 pF) и небольшая Crss уменьшают обратное влияние на драйвер и упрощают подключение к логическим контроллерам. Рассеиваемая мощность Pd (250 mW) и сравнительно высокое RDS(on) делают компонент подходящим для маломощных схем.

Типовые области применения
Коммутация цифровых сигналов и преобразование уровней на низкой скорости
Управление питанием маломощных нагрузок, например предварительный каскад управления миниатюрным реле и индикаторы
Управление питанием и защита портативных устройств в качестве шунтирующего или сбрасывающего ключа
Маломощная коммутация сигналов в испытательных приспособлениях и измерительных приборах

Рекомендации по применению
Для получения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления Vgs = 10 V. При прямом управлении от MCU с напряжением 3.3V/5V сопротивление открытого канала будет выше, а потери проводимости возрастут. Заряд затвора Qg 700 pC увеличивает энергопотребление драйвера и потери переключения при частой коммутации или высокочастотном PWM. Ограниченная рассеиваемая мощность Pd = 250 mW требует надлежащего теплоотвода: предусмотрите достаточную площадь медного покрытия на PCB и ограничьте длительный ток; при необходимости используйте параллельное включение или корпус большего размера. Последовательный резистор затвора помогает подавить звон и ограничить пусковой ток. При высоком dV/dt используйте защиту RC или TVS. Соблюдайте меры защиты от ESD при сборке и испытаниях.

Приведённое описание составлено по указанным параметрам. Для проектирования используйте официальную документацию Datasheet, проверяйте температурные зависимости и предельные параметры, при необходимости выполняйте тепловое и электрическое моделирование. Для длительной работы при высокой температуре или вблизи предельных значений проведите оценку надёжности и анализ тепловых отказов.