LRC S-LP03N060TZHG

S-LP03N060TZHG — обзор продукта

Описание
S-LP03N060TZHG — P-канальный MOSFET обогащенного типа в корпусе SOT-223 с номинальным напряжением сток—исток 60V и непрерывным током стока 2.8A. Компонент подходит для высокобоковых ключей малой и средней мощности, защиты нагрузки и управления питанием. Он сочетает потери проводимости и характеристики переключения и удобен для схем с управлением P-канальным транзистором.

Основные электрические параметры
Тип: P-канальный MOSFET обогащенного типа
Напряжение сток—исток Vdss: 60V
Непрерывный ток стока Id: 2.8A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 170mΩ @ |VGS|=10V; 200mΩ @ |VGS|=4.5V
Пороговое напряжение VGS(th): 3V (@ 250µA, указано как абсолютное значение)
Полный заряд затвора Qg: 3.6nC @ 4.5V
Входная емкость Ciss: 366pF; емкость обратной передачи Crss: 17pF; выходная емкость Coss: 24pF
Рассеиваемая мощность Pd: 1.7W
Диапазон рабочих температур: -55℃ ~ +150℃
Корпус: SOT-223

Характеристики и применение
Оценка потерь проводимости: при максимальном номинальном токе 2.8A и RDS(on)=200mΩ потери проводимости составляют около P = I^2·R ≈ 1.57W, что близко к предельному значению Pd=1.7W и требует особого внимания к теплоотводу при полной нагрузке. При RDS(on)=170mΩ (|VGS|=10V) мощность снижается примерно до 1.33W.
Требования к управлению: для получения меньшего RDS(on) рекомендуется увеличить модуль напряжения затвор—исток (ориентир 10V). При логическом уровне управления 4.5V сопротивление RDS(on) возрастает незначительно. Заряд затвора Qg=3.6nC показывает, что ток управления связан со скоростью переключения; при проектировании драйвера затвора учитывайте потери на заряд и разряд.
Характеристики переключения: умеренные значения Ciss/Crss позволяют использовать компонент в DC-DC преобразователях и схемах управления с невысокой частотой переключения. Для высокочастотных применений оцените потери переключения.

Тепловой режим и рекомендации по корпусу
Теплоотвод корпуса SOT-223 ограничен. Для снижения перегрева перехода увеличьте площадь теплоотводящей меди на печатной плате, используйте тепловую площадку и несколько медных слоев, а также разместите компонент рядом с крупной плоскостью земли или питания.
Добавление переходных и теплоотводящих отверстий в медных участках рядом с компонентом может существенно снизить тепловое сопротивление. При длительном токе, близком к 2.8A, рассмотрите параллельное включение MOSFET или применение компонента в корпусе большего размера.

Типичные области применения и рекомендации
Высокобоковой ключ и защита питания от переполюсовки; P-канальная структура упрощает подключение истока к положительной шине питания.
Управление питанием и отключение нагрузки в системах с батарейным питанием и портативных устройствах.
Низко- и среднечастотные топологии DC-DC с низкобоковым ключом или мягким переключением.
Выбирайте уровень управления затвором с учетом напряжения питания системы и обеспечивайте достаточное значение |VGS| для достижения требуемого RDS(on).

Особенности выбора и эксплуатации
Пороговое напряжение указано как |VGS|≈3V (@250µA). Фактическая степень открывания зависит от температуры и тока; оценивайте проводимость по RDS(on), а не только по пороговому значению.
При токе, близком к номинальному, уделяйте приоритетное внимание теплоотводу или распределению тока между несколькими компонентами.
Для длительной работы на высокой частоте или большом токе оцените альтернативные компоненты с меньшим RDS(on) или большей допустимой мощностью.