LGE SS8050

SS8050 — универсальный NPN-биполярный транзистор

SS8050 — NPN-транзистор общего назначения для усиления сигналов и коммутации. Выпускается в корпусе SOT-23 и применяется в электронных устройствах с требованиями к компактности и среднему току нагрузки.

Основные параметры

• Максимальный непрерывный ток коллектора (Ic): 1.5A; для длительной нагрузки рекомендуется значение ≤1A.
• Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): типовое значение ≥260 при VCE=5V, Ic=100mA.
• Обратный ток коллектора (Icbo): ≤100nA при 25℃.
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): 25V.
• Напряжение пробоя эмиттер-база (Vebo): 6V.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 500mV при Ic=1A.
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300mW при 25℃.
• Граничная частота (fT): 190MHz при VCE=5V, Ic=100mA.
• Рабочая температура: -55℃~+150℃.

Корпус и выводы

Корпус SOT-23, размеры около 2.9mm×2.5mm×1.1mm. Расположение выводов следует сверять с документацией на конкретную партию:
1 — база (B);
2 — эмиттер (E);
3 — коллектор (C).

Области применения

Усиление аудиосигналов малой мощности, управление светодиодами и небольшими реле, усиление сигналов датчиков, вспомогательные цепи питания и управляющие модули бытовой электроники.

Рекомендации по применению

Соблюдайте предельные значения Ic=1.5A, Vceo=25V и Pd=300mW. При 125℃ мощность Pd следует снизить примерно до 150mW. Перед монтажом проверьте распиновку и полярность; избегайте превышения Vebo=6V. Для отвода тепла при высокой нагрузке используйте дополнительную медную площадь на печатной плате. При работе соблюдайте меры защиты от электростатического разряда. Температура хранения: -65℃~+150℃, относительная влажность ≤85%RH.