muRata LQP03HQ3N9B02D

LQP03HQ3N9B02D — обзор продукта

Описание
LQP03HQ3N9B02D — миниатюрный SMD-индуктор производства Murata в корпусе 0201. Номинальная индуктивность — 3.9 nH. Компонент предназначен для высокочастотных применений; добротность Q составляет около 20 на частоте 500 MHz, частота собственного резонанса (SRF) — около 7 GHz. Типичное сопротивление постоянному току (DCR) — около 170 mΩ, номинальный постоянный ток — 500 mA.

Основные параметры
Индуктивность: 3.9 nH
Номинальный ток: 500 mA
Сопротивление постоянному току (DCR): 170 mΩ
Добротность (Q): 20 (@500 MHz)
Частота собственного резонанса (SRF): около 7 GHz
Корпус: 0201 (поверхностный монтаж)

Особенности
Компактный корпус подходит для мобильных устройств и плат PCB с ограниченным пространством и высокой плотностью компоновки.
Высокочастотные характеристики сохраняют приемлемое значение Q в диапазонах VHF/UHF и в части диапазона GHz; компонент подходит для согласования и фильтрации RF.
Высокая SRF (около 7 GHz) позволяет использовать индуктор в большинстве диапазонов связи, например 2.4 GHz и низкочастотных диапазонах LTE. Вблизи SRF индуктивность и потери существенно меняются.
Относительно высокое DCR (170 mΩ) приводит к потерям мощности и падению напряжения в цепях постоянного тока и низкочастотных цепях с большим током; это следует учитывать при проектировании.

Типовые применения
Сети согласования импеданса RF в мобильных телефонах, Bluetooth, Wi‑Fi и малосигнальных фронтендах RF.
Последовательные и параллельные элементы высокочастотных фильтров и резонансных цепей.
Развязка и шунтирование в сигнальных трактах с учётом требований к частоте и мощности.
Высокочастотные шунтирующие или закорачивающие элементы в миниатюрной электронике.

Проектирование и эксплуатация
При компоновке следует размещать компонент рядом с узлом согласования или фильтрации и делать соединительные дорожки короткими и соответствующей ширины, чтобы уменьшить паразитную индуктивность и потери.
Номинальный ток 500 mA является максимальным длительным значением. Превышение может вызвать нагрев, изменение параметров или повреждение компонента. При высоком сопротивлении постоянному току следует учитывать потери мощности (P = I^2·R).
При приближении частоты к SRF индуктивность снижается, а выше частоты резонанса компонент ведёт себя как ёмкость. В целевом рабочем диапазоне следует измерять фактические индуктивность и Q.
Для надёжной пайки следует соблюдать рекомендованные производителем профиль оплавления и конструкцию контактных площадок, избегая перегрева и механических нагрузок, способных вызвать трещины или ухудшение характеристик.
Вблизи плоскости земли или крупных металлических областей могут изменяться SRF и паразитные параметры; это следует учитывать при компоновке окружающих металлических участков платы.

Испытания и надёжность
На этапе создания прототипа рекомендуется измерить DCR, частотную характеристику, Q и SRF с помощью измерителя LCR и векторного анализатора цепей (VNA), чтобы определить эквивалентные параметры на реальной PCB.
Для проверки надёжности пайки следует провести испытания температурными циклами и оплавлением. Для длительной работы при высокой температуре или большом токе следует провести ускоренные испытания на старение.
Следует контролировать однородность партий и актуальность технической документации и сведений об упаковке компонента.

LQP03HQ3N9B02D — миниатюрный SMD-индуктор для высокочастотных применений с ограниченным пространством на плате, включая согласование и фильтрацию RF. При проектировании следует учитывать относительно высокое DCR и ограничение по допустимому току, продумать разводку и теплоотвод, а также проверить параметры в целевом диапазоне частот.