MICROCHIP TC6320TG-G TC6320TG

Обзор продукта: TC6320TG-G, двухканальный MOSFET с каналами N и P

TC6320TG-G — двухканальный MOSFET с каналами N и P производства Microchip. Устройство в компактном корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа предназначено для электронных схем среднего и малого напряжения и мощности. Интеграция комплементарных каналов в одном корпусе сокращает занимаемое на PCB место и упрощает схемы, например полумосты и преобразователи уровней.

Конфигурация и корпус

В одном корпусе SOIC-8 находятся один MOSFET с каналом N и один MOSFET с каналом P; ими можно управлять независимо. Типичные размеры корпуса: 5.2mm × 6.0mm, шаг выводов 1.27mm. Выводы затвора, истока и стока для обоих каналов разделены.

Основные электрические параметры

- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V.
- Непрерывный ток стока (Id): 2A.
- Сопротивление открытого канала: 8Ω@10V, 1A.
- Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 1V.
- Входная емкость (Ciss): 110pF; емкость обратной передачи (Crss): 23pF.
- Диапазон рабочих температур: -55℃…+150℃.

Устройство подходит для полумостовых схем, преобразователей уровней, управления подключением нагрузки и маломощных DC-DC-преобразователей. Примеры применения включают синхронное выпрямление, управление двигателем, преобразование сигналов между микроконтроллером 3.3V и нагрузкой 12V/24V, а также преобразование 5V в 12V.

Рекомендации по проектированию

Для напряжения Vdss рекомендуется снижение номинала до 70% (≤140V), а для Id — до 80% (≤1.6A). Для ограничения тока затвора можно установить последовательно резистор 10-100Ω, выбирая его с учетом частоты переключения. При непрерывном токе 2A следует предусмотреть достаточную площадь контактных площадок PCB для отвода тепла.