MCC MCT03N06-TP MCT03N06

MCT03N06-TP — силовой MOSFET с N-каналом, рассчитанный на напряжение сток–исток 60V и непрерывный ток стока 3A. Корпус SOT-223 с 4 выводами (3 вывода и теплоотводящая площадка). Диапазон рабочих температур: -55℃…+150℃.

Основные электрические параметры:
Напряжение сток–исток (Vdss): 60V
Непрерывный ток стока (Id): 3A
Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 100 mΩ при VGS = 10V
Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2.0V при ID = 250µA
Полный заряд затвора (Qg): 13 nC при VGS = 10V
Выходная емкость (Coss): 23 pF
Входная емкость (Ciss): 443 pF
Емкость обратной передачи (Crss/Crss): 21 pF
Рассеиваемая мощность (Pd): 2.1W
Диапазон рабочих температур: -55℃…+150℃
Тип: N-канальный MOSFET
Корпус: SOT-223 (4 вывода, обычно три вывода и теплоотводящая площадка/Tab)

Приведенные параметры служат справочными данными при выборе компонента и проектировании схемы; окончательные значения следует сверять с технической документацией.

Особенности и характеристики:
Сочетание параметров 60V/3A подходит для управления питанием, преобразователей DC-DC и переключения нагрузки в приложениях средней и низкой мощности.
При VGS = 10V сопротивление RDS(on) составляет 100 mΩ, что снижает потери проводимости.
Заряд затвора Qg = 13 nC помогает уменьшить энергозатраты на управление и время переключения при использовании подходящего драйвера.
Диапазон рабочих температур -55℃…+150℃ подходит для промышленной среды.

Типичные области применения:
Импульсные стабилизированные источники питания и преобразователи DC-DC средней и низкой мощности
Переключение нагрузки и управление распределением питания в портативных устройствах и системах управления аккумуляторами
Вспомогательные ключи и защитные цепи электроприводов для малых токов
Переключение реле и электромагнитных клапанов средней и низкой мощности
Модули управления питанием и драйверы освещения общего назначения

Рекомендации по проектированию и применению:
Для достижения указанного низкого значения RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором VGS = 10V. Значение VGS(th) = 2V при токе 250µA означает, что при логическом управлении 5V транзистор может открываться частично; при таком управлении следует оценить потери проводимости. Для минимального RDS(on) рекомендуется управление 10V или подходящая микросхема драйвера затвора.
Заряд затвора Qg = 13nC и пиковый выходной ток драйвера определяют время нарастания и спада. Для ограничения EMI или скорости изменения напряжения dV/dt можно установить последовательно с затвором резистор подходящего номинала.
Ciss = 443pF, Coss = 23pF и Crss = 21pF. Crss влияет на эффект Миллера; при высоком dv/dt следует учитывать влияние управления затвором на изоляцию затвора и риск ложного срабатывания. Для высокочастотного переключения следует оценить потери переключения и фильтрацию.
Корпус SOT-223 имеет ограниченную рассеиваемую мощность; Pd = 2.1W. Для отвода тепла рекомендуется использовать на PCB медную площадку большой площади, радиатор либо тепловые переходные отверстия к медному слою на обратной стороне платы.
Для индуктивной нагрузки применяйте подходящий обратный диод или RC-цепь подавления выбросов. При необходимости установите TVS или защитный компонент между затвором и истоком для защиты от перенапряжения.

Корпус и выводы:
Компактный корпус SOT-223 с 4 выводами (обычно G, D, S и Tab) подходит для поверхностного монтажа. Теплоотводящая площадка Tab обычно соединена со стоком; для улучшения теплоотвода ее следует соединить с медной площадкой большой площади. Фактическую распиновку и электрические соединения следует сверять с технической документацией.

MCT03N06-TP — N-канальный MOSFET на 60V для приложений средней и низкой мощности. Сочетание сопротивления в открытом состоянии, характеристик переключения и отвода тепла подходит для управления питанием и коммутации общего назначения. При проектировании учитывайте напряжение управления затвором, тепловой режим и защиту индуктивной нагрузки.