WMSIC Электронные компоненты

MCC SI01P10-TP SI01P10

МодельSI01P10-TP
КорпусTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
БрендMCC
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 26+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

20 характеристик

Основная информация

Название товара
MCC SI01P10-TP SI01P10
Тип
MCC
Единица
Электронный компонент
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Единица измерения
шт.
Бренд
MCC
Модель
SI01P10-TP
Шаг
1
Корпус
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Количество
1 P-канал
Категория
Полевой транзистор (MOSFET)
Вес
0.041g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0227295740
Рабочая температура
55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd)
770mW
Минимальная упаковочная единица
Диск
Минимальное количество в упаковке
3000
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

SI01P10-TP — P-канальный высоковольтный MOSFET производства MCC. Корпус TO-236-3 / SC-59 / SOT-23-3. Предназначен для коммутации малых и средних токов, управления питанием и защиты.

Тип: P-канальный MOSFET
Бренд: MCC
Модель: SI01P10-TP
Напряжение сток-исток Vdss: 100 V
Непрерывный ток стока Id: 630 mA
Сопротивление во включенном состоянии RDS(on): 800 mΩ при Vgs = 10 V, Id = 1 A
Рассеиваемая мощность Pd: 770 mW
Пороговое напряжение Vgs(th): около 1.5 V (для P-канального прибора указано как величина; значение обычно составляет -1.5 V)
Заряд затвора Qg: 7.8 nC при Vgs = 10 V
Входная емкость Ciss: 342 pF при 40 V
Емкость обратной передачи Crss: 14.3 pF при 40 V
Диапазон рабочих температур: -55 ℃ ~ +150 ℃

При RDS(on) = 0.8 Ω и токе 1 A потери проводимости составляют около 0.8 W, что немного превышает Pd (0.77 W). Длительная работа при 1 A превышает предел рассеиваемой мощности. При номинальном непрерывном токе 630 mA потери I^2·R составляют около 0.317 W. Фактический режим зависит от теплоотвода печатной платы и температуры окружающей среды.

Заряд затвора Qg = 7.8 nC и входная емкость Ciss = 342 pF определяют требования к драйверу. Для частого переключения и повышенной частоты требуется соответствующая схема управления затвором.

Типовые применения: верхний ключ и ключ нагрузки, защита от обратного тока, выбор источника питания, схемы управления питанием в промышленном, измерительном и телекоммуникационном оборудовании, нагрузки с током в диапазоне сотен mA.

При Vgs = -10 V относительно истока обычно достигается номинальное RDS(on). Для включения P-канального MOSFET напряжение затвора относительно истока должно быть отрицательным; соблюдайте максимально допустимый Vgs. Для улучшения теплоотвода увеличьте площадь меди на PCB или примените теплоотвод. Для ограничения звона затвора можно использовать последовательный резистор 10~100 Ω. При высоковольтном верхнем управлении используйте схему сдвига уровня. Для защиты от импульсных перенапряжений можно применять TVS.

При проектировании учитывайте запас по напряжению и мощности. Для длительной работы с высоким током или мощностью рассмотрите прибор с меньшим RDS(on) либо корпус большего размера.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.