MDD S9014

Маломощный NPN-транзистор S9014 в корпусе SOT-23

S9014 предназначен для усиления малых сигналов и переключения при низких и средних токах. Транзистор имеет высокий коэффициент передачи постоянного тока при малом токе и хорошие частотные характеристики. Применяется в портативной аппаратуре, устройствах связи и электронных схемах общего назначения.

Основные параметры

Тип транзистора: NPN.
Максимальный ток коллектора Ic: 100 mA.
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Vceo: 45 V.
Рассеиваемая мощность Pd с учётом ограничений корпуса: 200 mW.
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 1000 тип. при 5 V, Ic = 1 mA.
Граничная частота fT: 150 MHz.
Ток отсечки коллектора Icbo: 100 nA тип./макс. порядок величины.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): около 300 mV; типовые условия измерения: Ic = 100 mA, Ib = 5 mA.
Рабочая температура: -55 ℃ ~ +150 ℃.
Напряжение пробоя база-эмиттер Vebo: 5 V.
Корпус: SOT-23, 3 вывода.

Параметры приведены для типовых или распространённых условий измерения. Для проектирования следует обращаться к полной технической документации производителя.

Особенности и области применения

Высокий коэффициент усиления при малом токе, около 1 mA, подходит для усиления слабых сигналов и позволяет снизить требования к току смещения.
Граничная частота fT = 150 MHz подходит для усиления сигналов высокой частоты и некоторых применений во входных радиочастотных каскадах.
Напряжение насыщения VCE(sat) около 0.3 V при условиях испытания с высокой нагрузкой подходит для ключевого режима с малым падением напряжения.
Ток Icbo около 100 nA подходит для схем с низким током утечки в статическом режиме.

Типовые области применения: предварительные усилители, обработка сигналов датчиков, аудиокаскады, управление маломощными реле и индикаторами, преобразование логических уровней, генераторы и смесительные каскады. При использовании в качестве переключателя учитывайте ограничения по мощности. Транзистор также применяется в портативных устройствах с батарейным питанием.

Рекомендации по проектированию

Максимальная рассеиваемая мощность в корпусе SOT-23 составляет 200 mW. Оценивайте произведение VCE и IC и соблюдайте допустимую тепловую нагрузку; для длительной работы при высокой мощности предусматривайте снижение номинальных режимов или теплоотвод.
При работе в ключевом режиме для насыщения базовый ток IB обычно выбирают в диапазоне IC/10–IC/20. Например, при Ic = 100 mA рекомендуемый ток базы составляет около 5–10 mA. Сопротивление резистора в цепи базы рассчитывают с учётом напряжения управления и требуемого тока.
Напряжение пробоя база-эмиттер Vebo составляет 5 V; учитывайте это при воздействии обратного напряжения на базу.
При высокой температуре Icbo может увеличиваться, поэтому оцените его влияние на цепь смещения.
SOT-23 — компактный корпус с тремя выводами. Учитывайте качество пайки и путь отвода тепла. Типовая распиновка: выводы 1, 2, 3 соответствуют B/C/E; уточняйте распиновку по документации производителя или проверяйте на образце.
Соблюдайте рекомендованный профиль пайки оплавлением и меры защиты от статического электричества.

Корпус: SOT-23.
Количество: 1 шт.
Бренд: MDD.