MICRONE MEM2302XG

MEM2302XG — N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 для коммутации и управления питанием при низком и среднем напряжении.

Основные параметры
Тип: N-канальный MOSFET (SOT-23, 1 шт.)
Напряжение сток-исток Vdss: 20V
Непрерывный ток стока Id: 3A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 50mΩ @ Vgs=4.5V, Id=3A
Пороговое напряжение Vgs(th): 0.85V (тип.)
Полный заряд затвора Qg: 4nC @ Vgs=4.5V
Входная емкость Ciss: 300pF
Емкость обратной передачи Crss: 80pF
Выходная емкость Coss: 120pF
Рассеиваемая мощность Pd: 700mW (зависит от корпуса и условий окружающей среды)

Логический уровень управления затвором и параметры при Vgs=4.5V подходят для маломощной коммутации. Типичные области применения: переключатели нагрузки и распределение питания в портативных устройствах, DC-DC-преобразователи, защита аккумуляторов, управление трактом питания и общие схемы коммутации и управления. Для управления по верхнему плечу может потребоваться дополнительный драйвер.

Корпус SOT-23 предназначен для поверхностного монтажа и компактной разводки печатной платы. Для снижения теплового сопротивления используйте короткие широкие участки меди у стока и истока. При длительной работе с большим током обеспечьте отвод тепла через медные полигоны и учитывайте предел Pd 700mW. Напряжение управления затвором ниже 4.5V может увеличить RDS(on) и потери проводимости. В высокочастотных схемах учитывайте заряд затвора Qg 4nC и емкости Ciss/Coss. Во время производства и испытаний соблюдайте меры защиты от электростатического разряда.

При выборе учитывайте ток нагрузки, частоту переключения и возможности отвода тепла печатной платы. Для повышенной мощности можно рассмотреть параллельное включение или корпус большего размера.