MICRONE MEM2303M3G

MEM2303M3G — одноканальный силовой MOSFET с каналом P, корпус SOT-23-3. Номинальное напряжение сток–исток — 30V. Предназначен для компактных схем коммутации и защиты, включая переносные источники питания, отключение нагрузки и ключи верхнего плеча.

Основные параметры:
Тип: MOSFET с каналом P, один транзистор
Корпус: SOT-23-3
Напряжение сток–исток Vdss: 30V
Непрерывный ток стока Id: 4.2A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 55mΩ @ Vgs = -10V
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 1.4W (зависит от теплоотвода на PCB)
Пороговое напряжение Vgs(th): около 1V (типовое)
Максимальное напряжение затвора: Vgs = ±12V
Полный заряд затвора Qg: 9.5nC
Входная емкость Ciss: 954pF; емкость обратной передачи Crss: 77pF; выходная емкость Coss: 115pF

При Vgs≈-10V сопротивление RDS(on) составляет 55mΩ, что снижает потери проводимости. Заряд затвора Qg = 9.5nC и входная емкость Ciss ~954pF обеспечивают умеренную скорость переключения. Напряжение Vdss 30V подходит для низковольтных систем 12V/24V и схем защиты от переполюсовки. Компактный корпус SOT-23-3 подходит для плотного монтажа на PCB.

Типичные применения: ключи верхнего плеча и управление питанием, защита батареи и от переполюсовки, управление питанием датчиков и беспроводных модулей, маломощные приводы двигателей и реле.

Исток обычно подключают к положительной шине питания; для открытия транзистора на затвор подают отрицательное напряжение относительно истока. Не превышайте Vgs ±12V и Vdss 30V. При работе на высокой частоте используйте драйвер затвора с подходящей нагрузочной способностью. Для снижения температуры увеличьте площадь меди и предусмотрите переходные отверстия у площадки на PCB. Держите цепь затвора короткой и размещайте шунтирующий конденсатор рядом с транзистором. При монтаже соблюдайте профиль пайки для корпуса SOT-23 и применяйте меры защиты от электростатического разряда. При длительной нагрузке 4A или высокой частоте переключения проверьте температуру перехода в целевой конструкции.