MICRONE ME2108A56PG

ME2108A56PG — повышающий преобразователь DC-DC с встроенным ключевым транзистором, в корпусе SOT-89-3. Поддерживает один канал с фиксированным выходом 5.6V. Диапазон входного напряжения — 0.9V–6.5V, максимальный выходной ток — 400mA. Рабочая частота — 180kHz, ток покоя — 50µA. Предназначен для портативных устройств и оборудования IoT с низковольтным питанием от батарей или одного литиевого элемента.

Основные характеристики

Топология: повышающая (Boost)
Входное напряжение (VIN): 0.9V–6.5V
Выходное напряжение (VOUT): 5.6V, фиксированное
Выходной ток: максимум 400mA
Частота переключения: 180kHz, фиксированная
Синхронное выпрямление: нет, требуется внешний выпрямительный диод
Рабочая температура (Ta): -25℃–+85℃
Ток покоя (Iq): около 50µA
Ключевой транзистор: встроенный
Количество выходных каналов: 1
Корпус: SOT-89-3

Типичные области применения

Повышение напряжения от одного литиевого или щелочного элемента до фиксированных 5.6V в портативных устройствах; узлы беспроводных датчиков, терминалы IoT и модули с питанием от батарей; локальное повышение напряжения для компактных камер, модулей сбора данных и измерительных приборов; источники питания с низким энергопотреблением в режиме ожидания и малой занимаемой площадью платы.

Рекомендации по проектированию

Поскольку схема несинхронная, на выходе требуется диод Шоттки с низким VF. Для обеспечения надежности рекомендуемый номинальный ток диода — ≥ 1.5× тока нагрузки.

Выбирайте силовой дроссель с низким DCR и током насыщения выше пикового тока. Для рабочей частоты 180kHz типичная индуктивность составляет от нескольких µH до десятков µH в зависимости от нагрузки и входного напряжения. Учитывайте насыщение и нагрев.

Для фильтрации используйте керамические конденсаторы с низким ESR. Входной конденсатор следует разместить рядом с микросхемой, чтобы снизить шум переключения. Увеличение выходной емкости уменьшает пульсации и улучшает переходную характеристику.

Корпус SOT-89-3 имеет повышенное тепловое сопротивление. При длительной работе с высокой нагрузкой контролируйте нагрев; для отвода тепла увеличьте площадь медного слоя или используйте тепловые переходные отверстия.

Сведите к минимуму площадь контуров обратного тока между дросселем, диодом, ключевым транзистором и входными и выходными конденсаторами. Прокладывайте чувствительные сигнальные линии вдали от узла переключения и учитывайте путь возвратного тока земли.

Рекомендации по типовой схеме

На входе параллельно VIN установите керамический конденсатор 4.7µF~22µF (X5R/X7R) и дополнительный высокочастотный шунтирующий конденсатор 0.1µF. Соединения между L, D, C и микросхемой в контуре переключения должны быть короткими.

Используйте диод Шоттки с низким Vf и быстрым восстановлением, обратным напряжением ≥ 12V и рекомендуемым прямым током ≥ 600mA~1A. На выходе установите параллельно керамический конденсатор 10µF~47µF для снижения пульсаций и улучшения переходной характеристики.