MEIHUA MHT153PTBT

MHT153PTBT — фототранзистор NPN в корпусе 1206

Фототранзистор NPN для обнаружения ближнего инфракрасного излучения с пиковой длиной волны 940nm. Применяется с инфракрасными светодиодами 940nm в отражательных и проходных датчиках, датчиках приближения, счетчиках и приемниках импульсного излучения.

Основные параметры
Тип: фототранзистор NPN.
Пиковая длина волны отклика: 940nm.
Напряжение пробоя коллектор—эмиттер Vceo: 30V.
Максимальный ток коллектора Ic: 20mA.
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 75mW.
Темновой ток: 50µA (тип./макс.).
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер VCE(sat): 0.4V @ Ic=5mA.
Рабочая температура: -25℃ ~ +85℃.
Корпус: 1206 SMD.

При Ic, близком к 20mA, допустимое напряжение VCE составляет около Pd/Ic = 3.75V. Следует учитывать ограничение рассеиваемой мощности. Темновой ток 50µA может влиять на чувствительность и порог ложного срабатывания; для подавления влияния окружающего света можно использовать модулированный источник инфракрасного излучения и синхронное обнаружение.

Типовые области применения: приемники инфракрасного дистанционного управления, отражательные датчики препятствий и счетчики, оптические энкодеры, обнаружение объектов на небольшом расстоянии и фотопереключатели малой мощности.

В схеме с общим эмиттером к коллектору подключают подтягивающий резистор к VCC; при освещении ток коллектора увеличивается и уровень сигнала снижается. Схема с общим коллектором применяется для буферизации сигнала. Например, при VCC=5V и Ic≈5mA расчетное сопротивление подтягивающего резистора составляет около 920Ω с учетом VCE(sat)=0.4V.

При монтаже следует ориентировать оптическое окно в сторону обнаруживаемого излучения. Следует соблюдать стандартный процесс пайки оплавлением, защищать компонент от перегрева, влаги и электростатического разряда, а также учитывать теплоотвод PCB при длительной работе с высоким током.