WMSIC Электронные компоненты

Nexperia TDZ6V2J,115 TDZ6V2J

МодельTDZ6V2J,115
КорпусSOD-323F
БрендNexperia
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration Date code within 2 years

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

20 характеристик

Основная информация

Название товара
Nexperia TDZ6V2J,115 TDZ6V2J
Тип
SOD-323F
Единица
Электронный компонент
Минимальная упаковка
3000 圆盘

Технические параметры

Упаковка
Лента
Единица измерения
шт.
Бренд
NEXPERIA
Модель
TDZ6V2J,115
Шаг
1
Корпус
SOD-323F
Категория
стабилитрон
Вес
0.028g
Минимальный заказ
1
Импеданс (Zzt)
10Ω
Артикул
BM0058430765
Конфигурация диода
1 независимый
Обратный ток (Ir)
3uA@4V
Рассеиваемая мощность (Pd)
500mW
Напряжение стабилизации (диапазон)
6.08V~6.32V
Минимальная упаковочная единица
Диск

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

TDZ6V2J,115 — одиночный стабилитрон Nexperia в компактном корпусе SOD-323F для схем с ограниченным пространством и низким энергопотреблением.

Номинальное напряжение стабилизации (Vz): 6.2V; диапазон: 6.08V–6.32V. Обратный ток (Ir): 3 μA при 4V. Рассеиваемая мощность (Pd): 500 mW. Дифференциальное сопротивление (Zzt): 10 Ω.

Теоретический максимальный постоянный ток: I_max ≈ Pd / Vz = 0.5 W / 6.2 V ≈ 80.6 mA. Это предельное значение при идеальном теплоотводе; при расчёте следует учитывать тепловые характеристики корпуса и снижение допустимой мощности с ростом температуры. Для устойчивой работы рекомендуется выбирать ток значительно ниже предельного; для SOD-323F типичный диапазон составляет 10 mA–30 mA.

При изменении тока на ΔI изменение напряжения оценивается как ΔV ≈ Zzt × ΔI. При Zzt=10 Ω изменение тока на 10 mA вызывает дрейф напряжения около 0.1 V. Ir=3 μA при 4V указывает на низкий ток утечки до достижения области пробоя.

Пример: при Vin=12V, выходном напряжении около 6.2V и Iz=10 mA ограничительный резистор R=(12−6.2)/0.01 ≈ 580 Ω. Мощность резистора P_R=(12−6.2)×0.01 ≈ 58 mW. Мощность диода составляет около 62 mW (6.2V×10 mA), что значительно ниже номинального Pd.

Типичные применения: маломощные опорные и смещающие цепи, защита от перенапряжения и ограничение напряжения, формирование сигналов, портативные устройства и датчики.

Корпус SOD-323F имеет высокое тепловое сопротивление. Для улучшения теплоотвода рекомендуется предусмотреть медную площадку под диодом и вокруг него, а также короткие широкие дорожки. Соблюдайте профиль бессвинцовой пайки и полярность. При монтаже учитывайте чувствительность корпуса к механическим нагрузкам и соблюдайте требования ESD.

При длительной работе снижайте допустимую Pd с учётом температуры среды и теплоотвода PCB; для повышения надёжности рекомендуется ограничивать фактическую мощность примерно 30% от Pd. При проверке измерьте Vz при рабочем токе, кратковременный и долговременный дрейф, а также Ir при обратном напряжении 4V или ниже. Для снижения шума и пульсаций можно подключить параллельно конденсатор с низким ESR, учитывая возможную нестабильность на высокой частоте. Для защиты от высокой температуры, короткого замыкания и импульсных воздействий применяйте внешние ограничительные элементы или устройства подавления с большей допустимой энергией.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.