WMSIC Электронные компоненты

ON NJVMJD340T4G

МодельNJVMJD340T4G
КорпусDPAK-3
БрендON
Цена Цена по запросу Цены на электронные компоненты быстро меняются вслед за спросом и предложением. Актуальная цена подтверждается в последнем коммерческом предложении WMSIC.
Configuration
1 options
Configuration 25+

Available for RFQ

Технические данные

Описание товара

20 характеристик

Основная информация

Название товара
ON NJVMJD340T4G
Тип
DPAK-3
Единица
Электронный компонент
Минимальная упаковка
2500

Технические параметры

Единица измерения
шт.
Бренд
ON
Модель
NJVMJD340T4G
Шаг
1
Корпус
DPAK-3
Количество
1 NPN
Категория
Транзистор (BJT)
Вес
0.369g
Минимальный заказ
1
Артикул
BM0228538879
Рабочая температура
65℃~+150℃
Тип транзистора
NPN
Граничная частота (fT)
10MHz
Рассеиваемая мощность (Pd)
15W
Минимальное количество в упаковке
2500
Ток коллектора (Ic)
500mA

Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.

NJVMJD340T4G — обзор продукта

Описание
NJVMJD340T4G — кремниевый силовой NPN-транзистор ON Semiconductor для высоковольтных коммутационных и линейных применений. Максимальный ток коллектора составляет 500mA, напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo — 300V. Корпус DPAK-3 предназначен для поверхностного монтажа и обеспечивает отвод тепла на плату.

Основные характеристики
Тип транзистора: NPN
Максимальный ток коллектора Ic: 500mA
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер Vceo: 300V
Рассеиваемая мощность Pd: 15W, зависит от теплоотвода на PCB
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: 240 при 50mA, VCE=10V
Граничная частота fT: 10MHz
Обратный ток коллектора Icbo: 100µA
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер VCE(sat): около 1V при 100mA
Рабочий диапазон температуры перехода: -65℃ ~ +150℃
Напряжение пробоя база–эмиттер Vebo: 3V

Области применения
Высоковольтные импульсные источники питания, инверторные и драйверные схемы, линейные усилители с напряжением до 300V и током до 500mA, промышленные схемы управления и измерения.

Корпус и теплоотвод
В корпусе DPAK-3 нижняя площадка обычно соединена с коллектором. Для отвода тепла рекомендуется предусмотреть на PCB большую медную область и тепловые переходные отверстия, соединяющие ее с медным слоем на обратной стороне. При высокой температуре окружающей среды или длительной работе на большой мощности следует ограничивать температуру перехода и учитывать снижение допустимой мощности.

Особенности применения
При использовании в качестве ключа требуется достаточный ток базы: коэффициент передачи тока снижается при больших токах и в режиме насыщения. Напряжение база–эмиттер в обратном направлении не должно превышать Vebo = 3V. При высокой температуре Icbo может увеличиваться до десятков микроампер. При токах, близких к максимальному значению, возрастают VCE(sat) и потери при переключении; учитывайте тепловой режим и частоту переключения.

Для надежной работы следует поддерживать температуру перехода на низком уровне и учитывать тепловое сопротивление, рабочее напряжение, пиковый ток, частоту переключения и возможности теплоотвода PCB.

Запрос котировки

Отправить RFQ

Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.

Отправьте целевую модель и количество.

Данные для закупки

Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.

WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.

Проверка модели и корпуса электронного компонента на ESD-рабочем месте

Модель и корпус

Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.

Сопоставление BOM и аналогов электронных компонентов

BOM и аналоги

Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.

Оценка доступности электронных компонентов для закупки

Сигнал доступности

До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.

Сценарии закупок

Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.

Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.

Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.

Подтверждение корпуса Типовой процесс RFQ

Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.

Разбор смешанного BOM Типовой процесс RFQ

До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.

Проверка снятой с производства детали Типовой процесс RFQ

Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.

Запрос малой партии Типовой процесс RFQ

Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.

Данные для ремонтной партии Типовой процесс RFQ

При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.

Уточнение суффикса модели Типовой процесс RFQ

Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.

Экспортная передача Типовой процесс RFQ

В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.

Запрос на пополнение Типовой процесс RFQ

Похожие товары

Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.