ON 2N5551TA

2N5551TA — описание продукта

2N5551TA — высоковольтный маломощный биполярный транзистор NPN производства ON Semiconductor. Выпускается в выводном корпусе TO-92-3L и подходит для усиления сигналов, коммутации и управления в высоковольтных цепях. Сочетает высокое напряжение пробоя с хорошим коэффициентом усиления и частотными характеристиками.

Основные характеристики

Тип транзистора: NPN (биполярный транзистор, BJT)
Корпус: TO-92-3L (выводной, 3 вывода)
Производитель: ON Semiconductor
Коэффициент передачи постоянного тока hFE: тип. 80 (при IC = 10 mA, VCE = 5.0 V)
Частота перехода fT: 100 MHz
Диапазон рабочих температур: -55 ℃…+150 ℃

Основные электрические параметры

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер VCEO: 160 V
Ток коллектора IC: до 600 mA
Максимальная рассеиваемая мощность PD: 625 mW
Ток отсечки коллектора ICBO: 50 μA
Напряжение пробоя эмиттер-база VEBO: 6 V
Напряжение насыщения VCE(sat): тип. 150 mV

Типовые области применения

Высоковольтные маломощные ключи и драйверы
Усилители сигналов, включая аудиокаскады и усилители малых сигналов
Преобразователи уровня и буферные каскады
Источники высоковольтных импульсов и простые схемы усиления мощности
Обучающие, прототипные и DIY-проекты; корпус TO-92 удобен для монтажа вручную

Рекомендации по проектированию и применению

Тепловой режим: максимальная мощность PD в корпусе TO-92 составляет 625 mW. При длительной работе поддерживайте температуру перехода в безопасных пределах; при необходимости используйте теплопроводящую прокладку или теплоотвод либо снизьте рабочий ток и коэффициент заполнения.

Рабочая точка и усиление: hFE существенно зависит от тока и температуры. Учитывайте минимальное значение коэффициента усиления и применяйте отрицательную обратную связь или стабилизирующую цепь смещения.

Частотные ограничения: fT ≈ 100 MHz; при высокочастотной работе учитывайте паразитные ёмкости и разводку, чтобы сохранить требуемую частотную характеристику.

Ток утечки и температурный дрейф: ICBO увеличивается при высокой температуре. В чувствительных цепях учитывайте ток утечки и предусматривайте защиту от теплового разбега.

Защита от обратного напряжения база-эмиттер: VEBO составляет 6 V. При пайке, испытаниях и неисправностях схемы не допускайте чрезмерного обратного напряжения.

Коммутация: низкое VCE(sat) снижает потери проводимости. При высокочастотной коммутации учитывайте ток управления базой и время рассасывания заряда.

Типовые схемы и рекомендации по разводке

В качестве ключа включайте последовательно с базой ограничительный резистор. Рассчитайте его сопротивление так, чтобы обеспечить достаточный принудительный коэффициент β при требуемом IC.

В усилительных каскадах применяйте схемы с общим эмиттером или общим коллектором с подходящей цепью смещения и шунтирующими конденсаторами.

При разводке PCB сокращайте длину дорожек базы и коллектора, размещайте шунтирующий конденсатор базы рядом с выводами компонента и обеспечивайте надёжное заземление.

Корпус и надёжность

Корпус TO-92-3L подходит для ручной пайки, а также для пайки волной или оплавлением в малосерийном производстве.

Диапазон рабочих температур -55 ℃…+150 ℃ позволяет применять компонент в промышленных и автомобильных электронных системах с учётом требований конкретного применения.

2N5551TA сочетает напряжение пробоя 160 V, умеренное усиление и хорошие частотные характеристики для маломощных высоковольтных усилительных и коммутационных схем.