Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
ON NTMFS5C612NLT1G
Configuration
1 options
Configuration
26+
Available for RFQ
Технические данные
Описание товара
20
характеристик
Основная информация
- Название товара
- ON NTMFS5C612NLT1G
- Тип
- ON
- Единица
- Электронный компонент
- Минимальная упаковка
- 1500 圆盘
Технические параметры
- Упаковка
- Лента
- Единица измерения
- шт.
- Бренд
- ON
- Модель
- NTMFS5C612NLT1G
- Шаг
- 1
- Корпус
- SO-8FL
- Количество
- 1 N-канальный
- Тип
- N-канальный
- Категория
- Полевой транзистор (MOSFET)
- Вес
- 0.2g
- Минимальный заказ
- 1
- Артикул
- BM0209595934
- Рабочая температура
- 55℃~+175℃
- Рассеиваемая мощность (Pd)
- 36W
- Минимальная упаковочная единица
- Диск
- Минимальное количество в упаковке
- 1500
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
NTMFS5C612NLT1G
Производитель: ON Semiconductor
Тип корпуса: SO-FL-8; корпус поставщика: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Статус компонента: активен
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET
Номинальные параметры: 167W, 60V, 235A
NTMFS5C612NLT1G — N-канальный MOSFET для применения в системах управления питанием, приводах электродвигателей, автомобильной электронике и промышленном управлении. Компонент предназначен для поверхностного монтажа; корпус 8-PowerTDFN.
Основные характеристики:
- Непрерывный ток стока (Id): 36A при температуре окружающей среды Ta; 235A при температуре корпуса Tc.
- Максимальное сопротивление сток–исток во включенном состоянии (Rds On): 1.5 мОм при 50A и 10V.
- Напряжение сток–исток (Vdss): 60V.
- Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8W при Ta; 167W при Tc.
- Рабочая температура перехода (TJ): от -55°C до 175°C.
- Максимальный заряд затвора (Qg): 91nC при 10V.
- Максимальная входная емкость (Ciss): 6660pF при 25V.
- Напряжение управления Rds On: 4.5V (максимальное), 10V (минимальное).
- Максимальное пороговое напряжение затвора–истока (Vgs(th)): 2V при 250µA.
- Напряжение затвор–исток (Vgs): ±20V.
Запрос котировки
Отправить RFQ
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
Проверка модели, корпуса, доступности и соответствия BOM до котировки.
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
BOM и аналоги
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
Сигнал доступности
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Примеры организации типовых запросов на закупку компонентов.
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары
Компоненты с изображениями корпусов, доступные для RFQ.
