Модель и корпус
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Available for RFQ
Технические данные
Для получения технического описания, данных о корпусе, рекомендаций по совместимым моделям или других технических материалов свяжитесь со службой поддержки WMSIC. Доступность материалов подтверждается отдельно.
EG1195S. Описание
EG1195S — микросхема управления импульсным понижающим преобразователем DC-DC для систем с высоким входным напряжением. Корпус ESOP-8. Диапазон рабочего напряжения: 10V–120V. Фиксированная частота переключения: 120kHz. Один выходной канал с регулируемым напряжением; требуется внешний силовой ключ. Предусмотрен вход разрешения работы EN. Ток покоя — 2mA. Диапазон рабочих температур: -45℃–+125℃ (Ta). Применяется в системах понижения высокого напряжения в промышленности, связи и энергетике.
Основные характеристики
Тип: контроллер понижающего преобразователя (Buck)
Входное напряжение: 10V–120V
Частота переключения: 120kHz (тип.)
Выход: 1 канал, регулируемый
Ключ: внешний MOSFET
Корпус: ESOP-8
Ток покоя (Iq): около 2mA
Рабочая температура: -45℃–+125℃ (Ta)
Вход разрешения работы EN: управление включением и выключением
Особенности
Широкий диапазон входного напряжения подходит для высоковольтных шин и постоянного напряжения после инвертора.
Низкий ток покоя подходит для систем с ограниченным энергопотреблением в режиме ожидания.
Внешний силовой ключ позволяет подобрать MOSFET для требуемого уровня мощности.
Фиксированная частота переключения 120kHz обеспечивает баланс между эффективностью и электромагнитной совместимостью.
Внешние компоненты позволяют задавать выходное напряжение и характеристики переходного процесса.
Выбор внешних компонентов и проектирование
MOSFET: выберите компонент с номинальным напряжением Vds выше максимального входного напряжения, предусмотрев запас. Низкое Rds(on) снижает потери проводимости; учитывайте потери переключения и возможности драйвера затвора.
Диод или синхронный выпрямитель: синхронное выпрямление повышает эффективность. Для схемы с обратным диодом предпочтителен диод Шоттки с низким прямым падением напряжения.
Дроссель: оцените индуктивность по формуле L = (Vin - Vout)·D / (ΔI·Fs). Номинальный ток и ток насыщения должны соответствовать пиковому току.
Выходной конденсатор: сочетание электролитического конденсатора с низким ESR или твердотельного конденсатора с керамическими конденсаторами снижает пульсации и улучшает переходный отклик.
Компенсация и устойчивость контура: спроектируйте цепь компенсации усилителя ошибки с учётом внешних дросселя, конденсатора и характеристик нагрузки.
Разрешение работы и плавный запуск: используйте вход EN для управления последовательностью включения и сброса при пониженном напряжении. Для ограничения пускового тока примените внешнюю схему плавного запуска или конденсатор для управления нарастанием сигнала EN.
Тепловой режим и разводка PCB
Проводники силовых цепей должны быть короткими и широкими; используйте достаточную толщину меди и переходные отверстия в нескольких слоях для распределения тока.
MOSFET, диод и дроссель выделяют тепло; предусмотрите область для отвода тепла и размещайте компоненты рядом с теплоотводящей плоскостью.
Дорожку узла переключения SW делайте короткой, минимизируя площадь контура для снижения EMI.
Высокочастотные цепи обхода и опорную землю обратной связи разводите отдельно, чтобы уменьшить связь шумов с усилителем ошибки.
Типичные применения
Модули промышленных источников питания и распределённое преобразование питания
Оборудование связи, базовые станции и удалённое питание при высоком входном напряжении
Понижающий каскад после фотоэлектрического инвертора и управление питанием систем накопления энергии
Испытательное оборудование, управление батареями и модули питания с делителем напряжения
Рекомендации по проектированию
На входе установите достаточные элементы подавления выбросов напряжения: TVS, RC или LC.
При высоком входном напряжении соблюдайте требования системы к запасу по напряжению и изоляции.
При высокой температуре или нагрузке измерьте температуру компонентов и убедитесь, что MOSFET и дроссель не перегреваются.
Широкий диапазон входного напряжения, низкий ток покоя и внешний силовой ключ делают EG1195S подходящим для эффективных и гибких схем преобразования высокого напряжения в низкое. Проверьте выбор компонентов, компенсацию контура и разводку PCB.
Запрос котировки
Форма подходит для отдельных моделей, подбора по категории и многострочных BOM.
Данные для закупки
WMSIC объединяет данные товара, изображения корпуса, контекст BOM и сигналы доступности в практические комментарии к RFQ.
Маркировка модели, форма корпуса, данные о лотке или катушке и изображения проверяются вместе.
Позиции BOM сравниваются по корпусу, параметрам, количеству и применимым аналогам.
До ответа отдела продаж оцениваются каналы поставки, уверенность в цене, срок и возможность отправки.
Сценарии закупок
Типовые сценарии RFQ основаны на полях формы WMSIC, данных каталога, этапах ручной проверки и процессе подготовки к отправке.
Покупатель передаёт полный артикул, требования к корпусу, количество, страну назначения и доступные фотографии, чтобы в котировке была зафиксирована проверяемая версия.
Многострочный BOM разделяется на позиции прямого поиска, строки с уточнением корпуса и строки, где разрешена проверка аналогов.
До обсуждения кандидатов собираются исходный артикул, версия документации, применение, критичные пределы и допустимые изменения.
Количество образцов, минимальная упаковка, формат корпуса, целевая дата и адрес курьерской доставки объединяются в одной переписке RFQ.
Фотографии корпуса, маркировка модели, контекст платы и количество для ремонта помогают сосредоточить поиск на нужной версии.
При неполном суффиксе или описании корпуса ответ фиксирует открытое различие и запрашивает подтверждение покупателя до закупки.
Формат упаковки, маркировка коробок, данные инвойса, курьер, страна назначения и отслеживание согласуются с подтверждённым заказом.
В запросе связываются ранее использованная модель, текущая потребность, данные о корпусе, целевой срок и канал пополнения.
Похожие товары