PANJIT 1N5223B_AY_10001

1N5223B_AY_10001 — маломощный стабилитрон с планарной структурой кристалла в осевом корпусе DO-35. Номинальное напряжение стабилизации составляет 2.7V. Предназначен для формирования низковольтного опорного уровня, защиты от перенапряжения и использования в малоточных опорных схемах. Соответствует требованиям RoHS 2.0 по ограничению содержания свинца.

Основные электрические параметры

• Номинальное напряжение стабилизации (Vz): 2.7V.
• Диапазон напряжения стабилизации: 2.57V–2.84V.
• Обратный ток (Ir): 75 µA при VR = 1V.
• Рассеиваемая мощность (Pd): 500 mW.
• Дифференциальное сопротивление стабилизации (Zzt): 30 Ω.
• Сопротивление в области перегиба (Zzk): 1.3 kΩ.
• Количество диодов: 1.
• Корпус: DO-35.

Особенности

Zzt = 30 Ω обеспечивает низкое малосигнальное сопротивление при заданном испытательном токе. Zzk = 1.3 kΩ характеризует участок около начала стабилизации. Ir = 75 µA при 1V указывает на обратную утечку при низком смещении. При непрерывной работе следует учитывать температуру окружающей среды и теплоотвод через выводы и медные участки печатной платы.

Области применения

• Источники опорного напряжения 2.7V и цепи смещения маломощных аналоговых схем и датчиков.
• Ограничение перенапряжений на сигнальных линиях и логических входах.
• Контроль напряжения питания и формирование опорного уровня для компараторов.
• Портативные устройства и системы с батарейным питанием.

Рекомендации по применению

Для стабилизации выберите рабочую точку выше тока колена Izk и близкую к испытательному току IzT. В шунтирующем стабилизаторе с последовательным резистором Rs используйте зависимость Rs ≈ (Vin - Vz) / Iz. Готовое описание источника обрывается после выражения Vz * Iz.