PANJIT 2N7002KDW_R1_00001

2N7002KDW_R1_00001. Описание продукта

2N7002KDW_R1_00001 — N-канальный полевой транзистор MOSFET производства PANJIT в корпусе SC-70-6 (SOT-363). Предназначен для маломощных применений и переключения сигналов.

Основные характеристики

Рассеиваемая мощность (Pd): 200mW
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 3Ω при Vgs=10V, Id=500mA
Рабочая температура (Tj): -55℃ ~ +150℃
Заряд затвора (Qg): 800pC при Vgs=4.5V
Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
Непрерывный ток стока (Id): 115mA
Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2.5V при Id=250uA
Входная ёмкость (Ciss): 35pF при Vds=25V

Области применения

Портативные устройства: управление питанием и переключение сигналов.
Потребительская электроника: маломощные схемы коммутации.
Промышленное управление: интерфейсы датчиков и управление реле.
Автомобильная электроника: бортовые мультимедийные системы и управление освещением.

Корпус и конфигурация выводов

Корпус SC-70-6 (SOT-363), 6 выводов:
Вывод 1: затвор (Gate)
Вывод 2: исток (Source)
Вывод 3: сток (Drain)
Вывод 4: исток (Source)
Вывод 5: сток (Drain)
Вывод 6: затвор (Gate)

Электрические характеристики

Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2.5V при Id=250uA.
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 3Ω при Vgs=10V, Id=500mA.
Заряд затвора (Qg): 800pC при Vgs=4.5V.
Входная ёмкость (Ciss): 35pF при Vds=25V.

Тепловые характеристики

Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃
Рассеиваемая мощность (Pd): 200mW

2N7002KDW_R1_00001 предназначен для маломощных схем переключения. Корпус SC-70-6 (SOT-363) подходит для компактных устройств.