Prisemi PPM723T201E0

PPM723T201E0 — P-канальный MOSFET на 20V в корпусе SOT-723.

Компактный P-канальный полевой транзистор предназначен для управления питанием на плате, включая лёгкие нагрузки, коммутацию по верхнему плечу и блокировку обратного тока. Низкие ёмкости и заряд затвора обеспечивают быстрое переключение.

Основные электрические параметры

Тип: P-канальный MOSFET
Напряжение сток–исток Vdss: 20 V
Непрерывный ток стока Id: 800 mA
Сопротивление открытого канала RDS(on): 450 mΩ @ Vgs = 4.5 V
Полный заряд затвора Qg: 1.4 nC @ Vgs = 4.5 V
Входная ёмкость Ciss: 110 pF
Ёмкость обратной передачи Crss: 5 pF
Выходная ёмкость Coss: 9 pF
Корпус: SOT-723

Особенности

Сопротивление открытого канала 450 mΩ подходит для коммутации небольших нагрузок уровня 800 mA с низкими потерями.
Заряд затвора Qg = 1.4 nC и входная ёмкость Ciss = 110 pF помогают снизить энергию управления и повысить скорость переключения.
Компактный корпус SOT-723 подходит для мобильных устройств, носимой электроники и модулей IoT с ограниченным пространством.
Низкая Crss уменьшает эффект Миллера при переключении.

Типичные области применения

Коммутация нагрузки по верхнему плечу и выбор цепи питания устройств с батарейным питанием
Управление питанием на платах портативных устройств, носимой электроники и модулей Bluetooth
Блокировка обратного тока и простое отключение нагрузки
Распределение питания и изоляция нагрузки при низком энергопотреблении и высокой скорости переключения

Рекомендации по применению

Сопротивление RDS(on) указано при Vgs = 4.5 V. Для требуемого сопротивления открытого канала обеспечьте достаточное напряжение затвор–исток. В схеме верхнего плеча источник P-канального MOSFET обычно подключают к положительному потенциалу, а для включения на затвор подают напряжение ниже напряжения источника.
Корпус SOT-723 имеет ограниченные возможности отвода тепла. При длительной работе с током, близким к номинальному, используйте медные области для отвода тепла и тепловые переходные отверстия, а ток и рассеиваемую мощность выбирайте с запасом.
Для ограничения dv/dt можно включить небольшой резистор последовательно с затвором; при необходимости используйте параллельную RC-цепь подавления помех.
Минимизируйте паразитные индуктивность и сопротивление цепей стока–истока и затвора. Размещайте развязывающий конденсатор рядом с MOSFET для подавления переходных напряжений.

При выборе учитывайте ограничения по рассеиваемой мощности и тепловому сопротивлению корпуса. По полной документации проверьте максимальное напряжение затвор–исток, импульсный и кратковременный ток, тепловое сопротивление RθJA и расположение выводов. Для большего тока или меньшего RDS(on) рассмотрите корпус большего размера либо параллельное включение нескольких устройств.