ROHM RV2C002UNT2L

RV2C002UNT2L — маломощный MOSFET с N-каналом и индуцированным каналом производства ROHM, предназначенный для коммутации малых токов и преобразования уровней в условиях ограниченного пространства. Корпус SC-101 (SOT-883 / код корпуса VML1006), упаковка по 1 шт.

Основные параметры:
Напряжение сток–исток Vdss: 20V
Непрерывный ток стока Id: 180mA
Сопротивление открытого канала RDS(on): 1.4Ω при VGS = 4.5V
Рассеиваемая мощность Pd: 100mW
Пороговое напряжение VGS(th): около 1V при ID = 100μA
Входная ёмкость Ciss: 12pF
Ёмкость обратной передачи Crss: 3pF
Выходная ёмкость Coss: 5pF

Низкие значения Ciss и Crss подходят для быстрого переключения, включая управление импульсами и PWM маломощными нагрузками. Применяется в портативных устройствах с питанием от батарей, в качестве ключа низкой стороны, для выбора нагрузки, управления питанием, коммутации питания датчиков с малым током, сигналов логики 3.3V/5V и в компактной бытовой электронике и носимых устройствах.

При максимальном непрерывном токе 180mA и RDS(on)=1.4Ω потери I²·R составляют около 45mW; следует учитывать температуру окружающей среды и теплоотвод платы. При управлении напряжением затвора 4.5V достигается указанное низкое RDS(on); при 3.3V оно возрастает. VGS(th) обозначает порог начала проводимости. Для индуктивной нагрузки требуется внешний диод или RC-цепь подавления выбросов, чтобы Vds не превысило допустимое значение. Для отвода тепла предусмотрите площадь медного покрытия на площадках выводов Drain/Source; дорожку затвора рекомендуется делать короткой.